第1 1.1晶闸管.pptVIP

内 容 提 要 晶闸管包括普通晶闸管、快速晶闸管、可关断晶闸管、双向晶闸管等电力半导体器件。由于普通晶闸管应用广泛，通常就用晶闸管来代替普通晶闸管的名称。本章所述的晶闸管专指普通晶闸管，其内容主要讨论晶闸管的结构及工作特点，晶闸管的伏安特性，晶闸管的主要参数，了解晶闸管以便更好地应用它。至于普通晶闸管以外的其他晶闸管，将在本书有关章节中结合应用加以介绍。 （3）额定结温 TJm：晶闸管在正常工作时所允许的最高结温，在此温度范围内，其有关的特性及额定值才能得到保证。 * * 第1章 晶 闸 管 第一节 晶闸管的结构及可控特性 晶闸管即人们习惯称之可控硅的器件，是用N型单晶硅片，按一定的工艺要求，分别进行扩散及烧结处理后，形成PNPN4层结构的一种大功率半导体器件。常用的有螺栓式和平板式两种封装形式。晶闸管有3个引出电极，分别称为阳极(A)、阴极(K)和门极(G)，其外形和电气符号如图1.1所示。 图1.1 晶闸管外形及符号 (a)平板型(b)螺旋型(c)符号 图 1.2 晶闸管管芯 图 1.3 晶闸管内部结构 晶闸管在什么条件下，才能够从阻断状态转变为导通状态或者反之呢？可以照图 1.4连接实验线路，分别就有关情况进行实验观察。 图 1.4 晶闸管导通关断实验 通过实验可得出如下结论：（1）当晶闸管承受正向阳极电压时，只有当门极与阴极间施加适当的正向电压并有一定Ig 的情况下，晶闸管才能导通。（2）当晶闸管承受反向电压时，则不论门极与阴极间施加何种极性的电压，晶闸管均处于阻断状态。 （3）晶闸管在导通的情况下，只要保持承受一定的正向阳极电压，则不论门极与阴极间电压如何，晶闸管均仍然导通，即晶闸管导通后，门极就失去对它的控制作用。 （4）晶闸管在导通情况下，只有当其正向阳极电压减少到一定值或者阳极电压为负值，晶闸管才从导通状态恢复为阻断状态。 第二节 晶闸管的工作原理 如上所述，晶闸管的有关特性，是由其内部的结构所决定的。前节内容已说明晶闸管为具有 4层 3个 P-N 结的器件，在 P型半导体中，带正电的空穴为多数载流子，N 型半导体中则是带负电的电子为多数载流子。 为便于分析，可按照图 1.6所示，将晶闸管的中间层 N1 和 P2 分为两部分，即可认为晶闸管等效为一个 PNP和一个 NPN 组合的复合管，这样就可以采用三极管的工作原理来进行分析。 图 1.6 晶闸管工作原理 流过 J2结的总电流也就是阳极电流应由上述 3部分组成 当 Ig=0，即门极无触发电流时 Ia=IK。代入（1.1）式，晶闸管流过的正向漏电流为 注入门极电流 Ig，则阴极电流为 从而可得 因为晶体三极管的电流放大系数 α 随其发射极电流的增大而增大，其曲线如图1.7 所示。 图 1.7 等效晶体管 α 变化曲线 第三节　晶闸管的伏安特性及主要特性参数 所谓晶闸管的伏安特性，即是其阳极和阴极之间的电压 Ua 与阳极电流 Ia 一一对应的关系，掌握晶闸管的上述关系，才能正确可靠地应用它。 作为一只理想的晶闸管，要求其关断时，阳极 A 与阴极 K 之间电阻无穷大，阳极漏电流为零，如门极加足够的触发电压，使晶闸管转为正向导通时，则要求 A 与 K 之间的电压降为零。上述理想晶闸管的特性如果用直角坐标中相应曲线来表示即如图 1.8（a）、（b）所示。 图 1.8 晶闸管理想开关伏安特性 图 1.9 晶闸管阳极伏安特性 为了正确使用晶闸管，除了上述对晶闸管的伏安特性作定性了解外，还必须以此为基础对晶闸管的主要特性参数作深入的研究。 1.晶闸管的电压定额 　（1）转折电压 UBO 　（2）反向击穿电压 URO 　（3）断态不重复峰值电压 UDSM （4）反向不重复峰值电压 URSM （5）断态重复峰值电压 UDRM （6）反向重复峰值电压 URRM （7）额定电压 Ute （8）通态（平均）电压 UT（AV） 2.晶闸管的电流定额 （1）断态重复峰值电流 IDRM和反向重复峰值电流 IRRM一般俗称为晶闸管正向和反向漏电流。其值在几十毫安以内。 （2）维持电流 IH：晶闸管从导通状态转变为阻断状态时所需的最小阳极电流。 （3）擎住电流 IL：晶闸管加上门极触发电压，从阻断状态转变为导通状态后消除触发电压，能维持导通状态所需的最小阳极电流。 （4）通态平均电流 IT（AV）：该电流也称为晶闸管的额定电流。 根据晶闸管额定电流的定义，其额定电流是工频正弦半波电流波形的平均值，如果电流波形峰值为 Im，则其额定电流为 相应的电流有效值为 为了表明各种不同波形电流的有效值与平均值之间的关系，现定义某电流波形的有效值与平均值之比，称为这个电流的波形系数，用 Kf表示 在正弦半波的情况下，其波形系数 Kf为 表