岛科技大学数电第15章 半导体存储器.pptVIP

行地址译码器 从存储矩阵中选中 一行存储单元； 列地址译码器 从字线选中的一行存储单元中再选1位（或几位）， 使这些被选中的单元经读—写控制电路， 与输入—输出端接通， 以便对这些单元进行读、写操作。 各部分功能 下页 返回 上页 用于对电路的工作状态进行控制。 当读—写控制信号为1时，执行读操作， 将存储单元里的数据送到输入—输出端上。 当读—写控制信号为0时，执行写操作， 加到输入—输出端上的数据被写到存储单元中。 读—写控制电路： 片选输入端： 片选输入信号为0时，RAM为正常工作状态。 片选输入信号为1时，不能对RAM进行读/写操作。 下页 返回 上页 15.2.1 静态存储单元 静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的 存储单元 位线 字线 VDD Yj Xi B j B’ j T1 T2 T4 T3 T6 T5 T8 T7 A2 A3 六管NMOS静态存储单元 下页 返回 上页 1. 静态RAM的结构和工作原理 1024 x 4位的RAM （64行x64列） A9 2. 位扩展方式 适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时。 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可。 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM RAM的位扩展接法 3.字扩展方式 适用于每片RAM、ROM位数够用而字数不够时. 例：用四片256 x 8位→1