补充2)本征和非本征半导体能带.pptVIP

 硅的晶格结构 硅的晶格结构 (平面图) 本征半导体材料 Si 电子和空穴是成对出现的 Si电子受到激励跃迁到导带，导致电子和空穴成对出现 E 此时外加电场，发生电子/空穴移动导电 导带 EC 价带 EV 电子跃迁 带隙 Eg = 1.1 eV 电子态数量 空穴态数量 电子浓度分布 空穴浓度分布 空穴 电子 本征半导体的能带图 电子向导带跃迁 空穴向价带反向跃迁 电子或空隙的浓度为: 其中 为材料的特征常数 kB 为玻耳兹曼常数 me 电子的有效质量 mh 空穴的有效质量 本征载流子浓度 例：在300 K时，GaAs的电子静止质量为m = 9.11×10-31 kg， me = 0.068m = 6.19×10-32 kg mh = 0.56m = 5.1×10-31 kg Eg = 1.42 eV 可根据上式得到本征载流子浓度为 2.62×1012 m-3 非本征半导体材料：n型 第V族元素(如磷P, 砷As, 锑Sb)掺入Si晶体后，产生的多余电子 受到的束缚很弱，只要很少的能量DED (0.04~0.05eV)就能让它 挣脱束缚成为自由电子。这个电离过程称为杂质电离。 As As+ 施主杂质 施主能级 电子能量 电子浓度分布 空穴浓度分布 施主杂质电离使导带 电子浓度增加 施主能级 被施主杂质束缚住的多余电子所处的能级称为施主能级。由于 施主能级上的电子吸收少量的能量 DED后可以跃迁到导带，因 此施主能级位于离导带很近的禁带。 非本征半导体材料：p型 第III族元素(如铟In,镓Ga,铝Al) 掺入Si晶体后，产生多余的空 穴，它们只受到微弱的束缚，只需要很少的能量 DEA Eg 就 可以让多余孔穴自由导电。 B Bˉ 受主杂质 电子浓度分布 空穴浓度分布 受主能级电离使导带 空穴浓度增加 受主能级 被受主杂质束缚的空穴所处的能级称为受主能级 EA。当空穴 获得较小的能量DEA之后就能摆脱束缚，反向跃迁到价带成为 导电空穴。因此，受主能级位于靠近价带EV的禁带中。 电子能量 在热平衡的条件下，对于(非)本征半导体，两种载流子的乘积总等于一个常数： 浓度作用定律 本征材料：电子和空穴总是成对出现 非本征材料：一种载流子的增加伴随着另一种载流子的减少 多数载流子：n型半导体中的电子或者p型半导体中的空穴 少数载流子：n型半导体中的空穴或者p型半导体中的电子 * 在高温时，热振动可以打断共价键。当一些键被打断时，所产生的自由电子可以参与电的传导。而一个自由电子产生时，会在原处产生一个空缺。此空缺可由邻近的一个电子填满，从而产生空缺位置的移动，并可被看作与电子运动方向相反的正电荷，称为空穴(hole)。 * 2 * 2 在n型半导体中，电子填充的高能带的水平比较高，因此相比本征半导体，整个费米能级上移 * 在p型半导体中，电子填充的高能带的水平比较低，因此相比本征半导体，整个费米能级下移 由于热运动，价带中的电子获得能量被激励到导带，产生电子--空穴对。对于本征材料，电子和空穴总是成对出现；对于非本征材料，一种载流子的增加，伴随着另一种载流子的减少。 *