利用4200-SCS参数分析仪,对碳纳米管晶体管（CNTFET）.PDF

利用4200-SCS参数分析仪， 对碳纳米管晶体管(CNT FET) 进行电气特性分析 引言 碳纳米管 近年，碳纳米管(CNT)因其尺寸更小、具有出众的电气和 源极 漏极 机械特性以及适合诸多潜在应用，已成为大量科学研究的主题。 与缩小传统半导体器件尺寸有关的问题，使得研究人员积极研 SiO2 究基于碳纳米管(CNT)的器件作为替代方案，如碳纳米管场效 硅衬底 应晶体管(CNT FET)。由于碳纳米管场效应晶体管(CNT FET) 不会面临传统半导体器件缩小尺寸时的问题，因此已经对其进 行了多种应用研究，包括逻辑器件、存储器件、传感器等。对 图1. 背栅碳纳米管晶体管 这些器件的研究通常涉及确定不同的电气参数，包括电流-电 压(I-V)、脉冲I-V和电容(C)测量。对灵敏的纳米电子器件进行 利用4200-SCS参数分析仪进行电气测量 电气特性分析，要求对仪器和测量技术进行优化，使之适合低 4200-SCS参数分析仪包含CNTFET测试项目，适合一些最常 功率电平和高测量灵敏度。 见的碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)测量。这个项目包括用于I- V 、脉冲I-V和C-V测量的测试。I-V测试使用两台4200-SMU源测 4200-SCS参数分析仪在碳纳米管场效应晶体管(CNT FET) 电 量单元(SMU)仪器，它们都配有4200-PA型远程前置放大器。利用 气特性分析方面具有多种优势。这个可配置测试系统 4225-PMU超快I-V模块并配备4225-RPM型远程/前置放大器开 可以简化灵敏的电气测量，因为它在一个集成系统内实现多个 关，可进行脉冲和瞬态I-V测量。最后，利用4210-CVU C-V测量 测试仪器的完美组合，包括硬件、交互软件、图形和分析能力。 模块，可进行C-V测量。 这些系统包括履行电气测量所需的预置测试，而且这些测量已 为确保碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)的 高精度测试结果而优化。本应用笔记说明怎 样利用4200-SCS型参数分析仪，对碳纳米 管场效应晶体管(CNT FET)的直流、脉冲I-V 和C-V测量进行优化。它包括有关正确布线 和连接、防护、屏蔽、降噪技术的详细信息 以及进行碳纳米管晶体管测试所需的其他重 要测量考虑事宜。 碳纳米晶体管 半导体碳纳米管（CNT ）可以用作场 效应晶体管（FET）源极和漏极之间的传 导通道。图1给出背栅肖特基势垒碳纳米管 场效应晶体管。两个金属触点位于碳纳米 管 （CNT ）的两端，构成场效应晶体管 （FET ）的源极端和漏极端。碳纳米管 （CNT ）置于氧化物之上，氧化物位于硅 衬底之上，硅衬底构成场效应晶体管（FET） 的栅极端。与三端待测器件（DUT ）进行 连接后，即可进行电气测量。 图2. 4200-SCS参数分析仪的CNTFET项目 运行KTEI 8.1版本以上的所有4200-SCS 参数分析仪系统都包括CNTFET项目。图2给 出运行吉时利交互测试环境(KITE)软件的项 碳纳米管 目CNTFET项目。 源极 漏极 SiO