第四讲光吸收跃迁效应.pdfVIP

讲! 座 半导体物理效应及其应用讲座 第四讲! 光吸收跃迁效应 与半导体红外探测器的应用发展! 褚! 君! 浩 （中国科学院上海技术物理研究所! 红外物理国家重点实验室! 上海! #$$$% ） 摘要! ! 光吸收跃迁效应是半导体光电探测器的基本物理过程’ 文章主要介绍光吸收跃迁效应在窄禁带半导体红 外探测器应用方面的研究进展’ 讨论窄禁带半导体带间光吸收跃迁的理论和实验’ 文章还介绍了本征光吸收系数 的表达式及其在材料表征和确定器件截止波长方面的应用，以及它在解释近年来发现的()*+,- 光电二极管电致 负荧光现象方面的应用’ 关键词! ! 光吸收，光跃迁，半导体光电子探测器 !#$%’$() (* (’$%# +,(-’$() ’-),$’$() .**.%’, )/ ’0. /.1.#(2.)’ (* ,.2$%()/3%’(- 0(’(4.#.%’-()$% /.’.%’(-, *(. /012(34 （!#$%’ ()%*#%*+ , %* -, **./ 01+2$32 ，4151$ -2#$#6#. %, 7.31$3’ 01+2$32 ，81$.2. 93/.:+ %, 43$.3.2 ，4151$; #$$$% ，81$ ） !+,’-%’5 5 567893: 3;4=67841 7=3187841 --97 3=- 3 01+3?-173: 6@A893: 6=49- 81 -?8941+0974= 6@4742-2 :-97=4189 +-7-974=’ ,@8 636-= =-B8-C 7@- =--3=9@ 41 7@8 --97 81 13==4C )36 -?8941+0974= 4= 81=3=-+ 6@42 742-:-97=4189 +-7-974=’ ,@- 7@-4=-7893: 31+ -D6-=8?-173: 36-97 4 817-=2;31+ 467893: 7=3187841 3=- +890-+ 4= 13==4C )36 -?8941+0974=’ E66:8937841 4 7@- -D6=-841 4= 7@- 817=8189 3;4=67841 94-898-17 C87@ =-2 6-97 74 7@- 9@3=397-=8F37841 4 ()*+,- 7@81 8:? 31+ 7@- 90724 C3B-:-1)7@ 4 7@- +-7-974= ，3 C-:: 3 7@- 1-)378B- :0?81-9-19- +894B-=-+ 81 =-9-17 A-3= 81 ?8+281=3=-+ ()*+,- 6@474+84+- ，3=- +-9=8;-+’ 6.78(-/,5 5 467893: 3;4=67841 ，467893: 7=3187841 ，-?8941+0974= 6@4742-:-97=4189 +-7-974= 备杂质光电导型非本征光电探测器’ 然而为了使得 H! 引言 电子在初始状态下布居在杂质能级上，杂质光跃迁 一般需要温度很低的条件，对于光电子探测器的实 光吸收跃迁效应是半导体中的一个基本物理现 际应用很不方便’ 然而杂质光跃迁可以用来研究半 象’ 当射到半导体上的光子能量等于或者大于半导 导体光电子探测器材料的杂质行为’ 除了本征光吸 体禁带宽度就会引起本征光吸收，价带中的电子在 收带间跃迁和杂质光吸收跃迁以外，在半导体中还 光激发下跃迁到导带，并引