SOICMOS工艺及产品介绍.ppt

--BTS型栅 1. 无边缘效应，适用于抗辐电路 2. 源漏不对称，电路设计不灵活，P+的扩散 效应，会引发一些器件问题 * * SOI/CMOS工艺及产品介绍 工程部 2014-7-1 概述 典型SOI材料主流制备技术 SOI器件特性 产品介绍 概述 概述 1. 器件尺寸缩小，给体硅集成电路发展带来问题 --静态功耗限制了Vt的进一步降低 --栅氧化层厚度的降低，引起栅漏电以及带来可靠性问题 --寄生闩锁效应使电路可靠性降低 --功耗以及热耗问题已经成为“瓶颈” --器件隔离面积的相对增大，影响集成度和速度进一步提升 --复杂的新工艺和昂贵的设备 2. 对策 --深槽隔离 --Halo以及倒阱结构 --应变沟道 --高K值栅介质材料 --新衬底材料SOI --新化合物衬底材料 概述 3. SOI优势(Silicon on Insulator) --速度高：结电容小； SOI器件的迁移率较高（低Vt带来纵向电场小) --功耗低：静态功耗=IL*VDD, IL较小导致静态功耗低； 动态功耗=C*f*VDD; 因 为结电容较低，所以动态功耗较小。 --比较适合小尺寸器件 SOI器件的短沟效应较小；无体穿通问题；泄露电流小 --特别适合低压低功耗器件 SOI器件 --工艺步骤少，且与体硅工艺相容 --抗辐照特性好 如采用全介质隔离结构，彻底消除体硅CMOS的闩锁效应，同时 具有极小的结面积，因此抗软失效、瞬时辐照的能力较强。 4. SOI存在的问题 --SOI材料质量，有待于提高。成本有待于降低。 --SOI器件本身存在的寄生效应： 浮体效应以及自加热效应 --SOI器件特性有待于更深一步的了解，器件模型以及EDA仿真工具不完善 --体硅技术的快速进展也抑制了SOI的研究与应用的进程 SOI材料主流制备方法及其特点 EPI SIMOX BSOI Smart-Cut 顶部硅层 介质埋层 硅衬底 SOI材料主要结构 介质层 顶部硅层 SOS结构 SOI结构 1. 异质外延(蓝宝石上外延硅) --把蓝宝石作为衬底，在其上外延生长单晶硅膜 --只在一定程度上取得了成功，难以扩大应用 1） 界面上存在晶格失配，从而产生位错、层错或者孪晶等缺陷。质量难以控制 2） 蓝宝上的介电常数为10，此数值较大，会产生较大的寄生电容 3） 蓝宝石与硅的热膨胀系数相差一倍，使得外延降温时，在硅中形成压应力 4） 蓝宝石中的Al在高温过程中，扩散进入硅中，恶化硅膜的纯度 5） 蓝宝石导热性差，器件散热不良 SOI材料主要制备技术 2. 注氧隔离(SIMOX）技术 --Separation by Ion Implantation Oxygen --150~200keV, 1.8E18 600~650℃注入 --高温退火以消除注入缺陷和进一步形成隔离层 --优点 1）简单易行，能得到良好的单晶层，与常规器件工艺完全相容。 2）注氧时以晶片表面为参考面，因而其顶层硅膜和氧化埋层的均匀性好，厚度 可控性好，硅-绝缘介质层界面特性较好。 --缺点 1）缺陷密度较高（104cm-2），硅膜的质量不如体单晶硅。 2）埋层SiO2的质量不如热生长的SiO2。 3）需要昂贵的大束流注氧专用机；退火炉进行高温长时间退火，因而成本较高。 3. 硅片键合SOI技术(BSOI) BSOI原理示意图 --将两个抛光好的硅片，表面生长氧化层， 然后对硅片进行亲水处理，使表面吸附较 多的OH-团，在室温超净环境下将两个硅片 粘合，并在氮气保护下加热到700℃脱水， 再升温到1100℃退火使两个硅片完全键合， 最后将顶部硅片减薄至使用要求。 --优点 1）顶层硅膜为本体硅，不会产生由离子注入造成的损伤和缺陷； 2）介质隔离层为热氧化膜，膜层缺陷密度和针孔密度均较低； --缺点 1）界面缺陷和顶部硅薄层的均匀性（硅厚度的10%）难以控制； 2）不能得到顶部硅膜很薄的SOI结构； 4. 智能剥离SOI技术(Smart-Cut) Smart-Cut原理示意图 -- 氧化：将硅片B热氧化一层二氧化硅，将作为SOI 材料的隐埋氧化层。 -- 离子注入：室温下，以一定能量向硅片A注入一定剂量的H+，用以在硅表面层下 产生一个气泡层。 -- 键合：将硅片A与另一硅片B进行严格清洗和亲水处理后在室温下键合，整个B 片将成为SOI结构中的支撑片。 -- 热处理：第一步热处理使注入、键合后的硅片（A片）在注H+气泡层处分开，上 层硅膜与B片键合在一起，