23双极性接面电晶体.DOC

§3 雙極性接面電晶體 電晶體(transistor) 1941年，巴丁、布萊登和蕭克利在美國的貝爾實驗室製造出第一個具有放大電流效果的固態三極體，並稱之為「電晶體」。他們所發明的點接觸電晶體，雖然未被之後的電子產業所引用來量產，但這項發明仍被記為半導體電子領域中最重要的成就之一。他們也因這項傑出的貢獻，共同獲得了1965年的諾貝爾物理獎。 1948年蕭克利再設計出結構上由兩個pn接面緊緊相鄰在一起的半導體元件--接面電晶體，此結構的電晶體的特性穩定且不難製作生產，至其後來成為半導體元件的主流。 電晶體(三極體，triode)：具有三個電極的半導體元件。 依結構可分為： 雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)：以下簡稱雙極性電晶體 場效電晶體(field effect transistor，FET)：下節 (pnp) (npn) 雙極性接面電晶體構造 雙極性電晶體的結構主要由三層半導體材料結合在一起，有pnp及npn的兩種組合。如圖分別為npn和pnp電晶體的結構示意圖及電路符號。 相鄰區域的極性互不相同的區分別稱為： 射極區：連接的電極稱為射極(emitter、E)。摻雜濃度最高，可發射載子。 基極區：連接的電極稱為基極(base、B)。中間夾層，摻雜濃度低，且厚度很薄(0.2~1μm)，是載子擴散與復合的地方。 集極區：連接的電極稱為