23双极性接面电晶体.DOC

§3 雙極性接面電晶體 電晶體(transistor) 1941年，巴丁、布萊登和蕭克利在美國的貝爾實驗室製造出第一個具有放大電流效果的固態三極體，並稱之為「電晶體」。他們所發明的點接觸電晶體，雖然未被之後的電子產業所引用來量產，但這項發明仍被記為半導體電子領域中最重要的成就之一。他們也因這項傑出的貢獻，共同獲得了1965年的諾貝爾物理獎。 1948年蕭克利再設計出結構上由兩個pn接面緊緊相鄰在一起的半導體元件--接面電晶體，此結構的電晶體的特性穩定且不難製作生產，至其後來成為半導體元件的主流。 電晶體(三極體，triode)：具有三個電極的半導體元件。 依結構可分為： 雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)：以下簡稱雙極性電晶體 場效電晶體(field effect transistor，FET)：下節 (pnp) (npn) 雙極性接面電晶體構造 雙極性電晶體的結構主要由三層半導體材料結合在一起，有pnp及npn的兩種組合。如圖分別為npn和pnp電晶體的結構示意圖及電路符號。 相鄰區域的極性互不相同的區分別稱為： 射極區：連接的電極稱為射極(emitter、E)。摻雜濃度最高，可發射載子。 基極區：連接的電極稱為基極(base、B)。中間夾層，摻雜濃度低，且厚度很薄(0.2~1μm)，是載子擴散與復合的地方。 集極區：連接的電極稱為集極(collector、C)。摻雜濃度最低，且散熱能力佳。 三個電中性的半導體區中有兩個pn接面所形成的非電中性的空乏區：(1)射-基接面。(2)基-集接面。 雙極性電晶體基本特性 對雙極性電晶體而言，射極區與集極區的半導體的極性雖然相同，但射極的雜質濃度較高時，其工作特性較佳。若把兩者相反使用，其放大的效果會降低。 兩個pn接面及兩種接面的偏壓狀態(順偏或逆偏)，使得雙極性電晶體的操作有四種情況(見下表)，雙極性電晶體在此四種不同的狀況下操作，其表現的特性迥異。 操作模式 射-基接面偏壓條件 基-集接面偏壓條件 作用 (1)順作用 順偏 逆偏 放大信號 (2)截止(cut-off) 逆偏 逆偏 數位(digital)或交換開關(switching)電路中 切斷的開關(OFF) (3)飽和(saturation) 順偏 順偏 閉合的開關(ON) (4)逆作用 逆偏 順偏 放大信號(效果較差)  電晶體其偏壓方式 順作用 飽和作用 逆作用 pnp VEVBVC VEVCVB VCVBVE npn VCVBVE VCVEVB VEVBVC pnp型工作原理 pnp型工作時傳送電流之多數載子為電洞。 射極(E)與基極(B)間為順向偏壓(VEB)，造成EB接面之空乏區縮小；基極(B)與集極(C)間為逆向偏壓(VBC)，造成CB接面之空乏區變大。 射極區(E、p-type，多數載子為電洞) 大量電洞因受順偏的電場作用，經由擴散穿過EB接面，形成主要電流IE1(→)。 由於基-集間為逆向偏壓，電洞在基極區內的的濃度分而，呈由左而右明顯遞減，引導進入基極區之電洞，自基極區的左方擴散移動至右方。 又基極區的濃度很低、厚度很薄，因 基極區(B、n-type，多數載子為自由電子) 自由電子經由擴散穿過EB接面，進入射極區，形成電流IB1(↓)。圖中IE2(→) = IB1。 由於射極區的摻雜濃度遠大於基極區，所以IE1 IE2。 集極區(C、p-type，多數載子為電洞，但受到逆向偏壓) 多數載子的電洞受到逆向偏壓的作用，使擴散電流很小。 少數載子的自由電子經由漂移作用進入空乏層，受到逆偏的內建電場的吸引而被掃入基極區，形成微小電流IB3(↑)。圖中IC2(→) = IB3。 電流大小關係： IE = IB + IC 且 IE ≒ IC IB 我們是否可以把兩個現成的pn二極體的n極端點相接起來而當成pnp(或將p端相接做成npn)電晶體來用？㊣：不行。原因：(1)基極區中包含了金屬。(2)基極寬度太厚。皆不能構成以基極電流控制集極電流的特性。 npn型工作原理 傳送電流之多數載子為自由電子。 npn電晶體和pnp電晶體的工作原理相同，操作特性也相似，僅須將接面偏壓的極性及各極電流的方向倒置，電子與電洞兩種載子的角色互易，即可。 自由電子對電場之反應比電洞靈敏，故電路設計上大多採用npn型。 電晶體參數與額定值 電流增益：對於一個雙極性電晶體的特性表現的評估，乃比較其輸出電流對輸入電流大小的比值關係，此比值稱為電流增益。 IC與IE的比值，通常以α表示。通常電晶體的α值約介於0.980至0.995之間。表示由射極區發出的多數載子有大多比例可直接穿過基極區，只有極少數在基極區內與載子復合。 IC與IB的比值，通常以β表示。而普通電晶體的