N2OPlasma表面处理对SiNx基IGZO-TFT性能的影响-发光学报.PDF

第３３卷　第４期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３３ Ｎｏ４ ２０１２年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ．，２０１２ 文章编号：１０００７０３２（２０１２）０４０４０００４ ＮＯＰｌａｓｍａ表面处理对 ＳｉＮ 基 ＩＧＺＯＴＦＴ性能的影响 ２ ｘ １，２ １ １ ２ ２ １ ２ 李　俊 ，周　帆 ，林华平 ，张　浩 ，张建华 ，蒋雪茵 ，张志林 （１．上海大学 材料科学与工程学院，上海　２０００７２； ２．上海大学 新型显示技术与应用集成教育部重点实验室，上海　２０００７２） 摘要：采用ＮＯｐｌａｓｍａ处理ＳｉＮ薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物（ＩＧＺＯ）作为有源层制备了 ２ ｘ ２ －１ －１ ＩＧＺＯ薄膜晶体管。与常规的ＩＧＺＯＴＦＴ相比，ＮＯｐｌａｓｍａ处理过的ＩＧＺＯＴＦＴ的迁移率由原来的４．５ｃｍ ·Ｖ ·ｓ增 ２ ２ －１ －１ 加至８．１ｃｍ ·Ｖ ·ｓ ，阈值电压由原来的１１．５Ｖ减小至３．２Ｖ，亚阈值摆由原来的１．２５Ｖ／ｄｅｃａｄｅ减小至０．９ Ｖ／ｄｅｃａｄｅ。采用ＣＶ方法计算了两种器件的陷阱态，结果发现ＮＯｐｌａｓｍａ处理过的ＩＧＺＯＴＦＴ的陷阱态明显小 ２ 于普通的ＩＧＺＯＴＦＴ的陷阱态，表明ＮＯｐｌａｓｍａ处理ＳｉＮ绝缘层是一种改善ＩＧＺＯＴＦＴ器件性能的有效方法。 ２ ｘ 关　键　词：薄膜晶体管；ＩｎＧａＺｎＯ；ｐｌａｓｍａ处理；ＮＯ ２ ＋ 中图分类号：ＴＮ３２１．５　　　文献标识码：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０４００ ＥｆｆｅｃｔｏｆＮＯＰｌａｓｍａＴｒｅａｔｍｅｎｔｏｎ ２ ＴｈｅＳｉＮｂａｓｅｄＩｎＧａＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ ｘ １，２ １ １ ２ ＬＩＪｕｎ ，ＺＨＯＵＦａｎ，ＬＩＮＨｕａｐｉｎｇ，ＺＨＡＮＧＨａｏ， ２ １ ２ ＺＨＡＮＧＪｉａｎｈｕａ，ＪＩＡＮＧＸｕｅｙｉｎ，ＺＨＡＮＧＺｈｉｌｉｎ （１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２，Ｃｈｉｎａ； ２．ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＡｄｖａｎｃｅｄＤｉｓｐｌａｙａｎｄＳｙｓｔｅｍＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，ＥＭＣ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２，Ｃｈｉｎａ）