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N2OPlasma表面处理对SiNx基IGZO-TFT性能的影响-发光学报
第33卷 第4期 发 光 学 报 Vol33 No4
2012年4月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Apr.,2012
文章编号:10007032(2012)04040004
NOPlasma表面处理对 SiN 基 IGZOTFT性能的影响
2 x
1,2 1 1 2 2 1 2
李 俊 ,周 帆 ,林华平 ,张 浩 ,张建华 ,蒋雪茵 ,张志林
(1.上海大学 材料科学与工程学院,上海 200072;
2.上海大学 新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海 200072)
摘要:采用NOplasma处理SiN薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了
2 x
2 -1 -1
IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZOTFT相比,NOplasma处理过的IGZOTFT的迁移率由原来的4.5cm ·V ·s增
2
2 -1 -1
加至8.1cm ·V ·s ,阈值电压由原来的11.5V减小至3.2V,亚阈值摆由原来的1.25V/decade减小至0.9
V/decade。采用CV方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现NOplasma处理过的IGZOTFT的陷阱态明显小
2
于普通的IGZOTFT的陷阱态,表明NOplasma处理SiN绝缘层是一种改善IGZOTFT器件性能的有效方法。
2 x
关 键 词:薄膜晶体管;InGaZnO;plasma处理;NO
2
+
中图分类号:TN321.5 文献标识码:A DOI:10.3788/fgx0400
EffectofNOPlasmaTreatmenton
2
TheSiNbasedInGaZnOThinFilmTransistors
x
1,2 1 1 2
LIJun ,ZHOUFan,LINHuaping,ZHANGHao,
2 1 2
ZHANGJianhua,JIANGXueyin,ZHANGZhilin
(1.SchoolofMaterialsScienceandEngineering,ShanghaiUniversity,Shanghai200072,China;
2.KeyLaboratoryofAdvancedDisplayandSystemApplication,EMC,ShanghaiUniversity,Shanghai200072,China)
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