SRAM的存储单元N沟道增强型MOS管.PPT

* 半导体存储器和可编程逻辑器件 第7章 Memory and Programmable logic devices Modern types of writable RAM generally store a bit of data in either the state of a flip-flop, as in SRAM (static RAM), or as a charge in a capacitor (or transistor gate), as in DRAM (dynamic RAM), EPROM, EEPROM and Flash. （2） * 7.3 随机读写存储器（RAM） The word RAM is often associated with volatile types of memory (such as DRAM memory modules), where the information is lost after the power is switched off. * 7.3.1 静态随机读写存储器（SRAM） SRAM的存储单元 N沟道增强型MOS管 0 1 1 0 基本R-S锁存器 * T0、T1、T2及T3构 成基本R-S锁存器， T4及T5是行选管， T6及T7是列选管， 是一列公用的 0 0 1 当CS为低电平，WE 也为低电平时，三态 门2将输入数据Di通过 T6、T4作用于T3栅极， 同时将Di的互补值通 过T7及T5作用于T2的 栅极，从而使触发器 按Di翻转，完成写入。 * SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管 * SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管 * SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管 * * SRAM存储器芯片外部：（符号，引脚） SRAM芯片： 常见：×8，×4 A0……A9 1024×4 RAM I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 练习： 画SRAM存储器芯片 64M×8， * 写操作： 单管动态存储单元 字线给出高电平，T导通，位线上的数据经过T存入CS中 读操作： 字线给出高电平，T导通， CS经T向位线上的CB提供电荷，使位线获得读出的信号电平。 由于CB CS ，位线上读出的电压信号很小,而且是破坏性读出 需要灵敏的恢复/读出放大器。 7.3.2 动态随机读写存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容存储电荷的原理 * 动态存储器芯片 为了进一步降低芯片的封装成本，还设法减少芯片的引脚数。 采用地址线复用和多字1位等方法。将地址分两次送入存储器芯片，内部有行地址锁存和列地址锁存电路。 行地址译码 列地址译码 A0 A1 行地址锁存 列地址锁存 * 的下降沿把行地址送入存储芯片内的行地址锁存器， 的下降沿把列地址送入存储芯片内的列地址锁存器。 列地址 行地址 AB * DRAM芯片： A0……A7 64k×1 DRAM I/O 常见：×1, ×8 动态存储器的存储控制比较复杂，需要由外部电路提供行地址和列地址，以及控制刷新。 DRAM芯片的集成度高，容量大，速度不高（50~100ns），功耗低，价格低。 练习：画DRAM存储器芯片 512M×4， * Random-access memory (RAM) is a form of computer data storage. Today, it takes the form of integrated circuits that allow stored data to be accessed in any order (i.e., at random). Random refers to the idea that any piece of data can be returned in a constant time, regardless of its physical location and whether or not it is related to the previous piece of data. Examples of non-volatile memory include read-only memory, flash memory, most types of magnetic computer storage devices (e.g. hard disks, floppy disks, and magn