Ⅲ-V族化合物HBT建模-硬件和射频工程师.PDF

Ⅲ-V 族化合物 HBT 建模 刘军 孙玲玲 杭州电子科技大学微电子 CAD 所 310018 摘要：Ⅲ-V族化合物 HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要，开发了一个可精确用于 表征Ⅲ-V 族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型，模型同时可用于对HBT器件极为重要的自热效应的 仿真。模型开发过程中对 UCSD HBT 模型和 VBIC BJT 模型进行了借鉴，但新模型不同于以上两个模型。模型 通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证。 关键词： Ⅲ-V；微波HBT；大、小信号； 建模 EEACC: 1220; 1350; 中图分类号：TN386 文献标识码：A 2 模型拓扑和模型方程开发 1 引言 模型拓扑结构如图1所示，其中虚线框部 Ⅲ-V 族化合物 HBT IC 已在频率从 分为本征部分。在拓扑结构开发过程中，忽 0.9GHz 到 100GHz 的微波功率和低功率无线 略基底寄生效应 （Ⅲ-V族化合物HBT基底寄生 通讯中得到广泛应用，而该类器件大、小信 效应微弱）；在节点Bx和Cx之间引入Qbcx 号等效电路模型迄今却未形成能为业界广泛 和Ibcx表征外部B、C结饱和电流效应；以二 认可的统一的模型拓扑和相应的参数提取方 极管Ibex和电荷元件Qbex 的并联结构表征外 【】1 B、E结寄生效应，并更好的与器件物理机制 法 。已有的可用于高级 BJT 器件仿真的如 【 】2 【 】3 【 】4 相适；在节点Ci和Bi 间引入电流Ibk 以表征雪 VBIC 、HICUM 、MEXTRAM 等模 型多基于 Si 及 SiGe 工艺开发，用于Ⅲ-V 族 崩击穿效应；分别在节点B 、E 、C之间引入 化合物 HBT 时模型缺乏针对性，且多存在模 Cpce、Cpbe、Cpbc表征器件封装寄生电容效 型拓扑网络和器件实际物理结构及相关寄生 应。值得注意的是，模型每一组分表征的物 效应无法严格对应、模型参数提取技术难以 理意义可能并不单一。以下对模型拓扑结构 开发、模型参数值难以提取或参数值物理意 各组分物理意义、各组分对应数学方程及改 义不明确等缺陷。已开发用于Ⅲ-V族 HBT 建 进点进行说明： 模的如 AgilentHBT 模型电荷方程只是简单 借用了 HICUM 电荷表征方式，漂移电荷组分 【 】5 物理意义难以解释 。 基于以上问题，本文在对业界已有可用 于 InP、GaAs HBT 模型进行分析、比较，对 【 】6 VBIC BJT 和UCSD HBT 等模型进行了借鉴， 同时在充分考虑国内外最新研究成果基础上 开发完成了一个新颖的、适用于Ⅲ-V 族化合 图1 HBT大信号模型拓扑 物 HBT 大信号模型。模型大小信号特性验证 Fig.1 HBT large-signal model topology 结 果 表 明 模 型 可 对 Ⅲ -V 族 化 合 物 如 2.1 电流模型 InGaP/GaAs HBT 器件特性进行精确表征，并 本征集电结电流： 可同时用于高、低电流工作条件下。 本征集电极电流模型方程对 VBIC 模型