反向击穿电压UBR.PPT

例:电路如图所示，设ui=10sinωt ，二极管使用恒压降模型（0.7V），试画出输出电压uo的波形。 作业 习题 1，2，4，5，9，10，13，15，17 1.4.2 二极管应用的典型电路 1.限幅电路:能把输出电压限制在一定幅值内的电路。 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V 采用恒压降模型 UREF = 2V 2.整流电路：将交流电压转变成单向直流电压的电路 采用理想模型 + + - - vi vo 0 vi t 0 vi t 3.开关电路: 利用二极管的单向导电性，可以接通或断开 电路。 vi1 vi2 vo 采用理想模型 该电路是“与”门电路。完成了“与”的逻辑关系 VCC +5V 例: 电路如图（a）所示，其输入电压vi1和vi2的波形如图（b）所示，设二极管为理想二极管。试画出输出电压vo的波形。 例:在0 ≤ t ≤ 10ms时间内，电路输入vi(t)波形如图所示。分别绘出以下两图电路的输出电压Vo(t)的波形。 设二极管是理想的。 1.5 特殊二极管 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 【例1.4】由稳压管可以组成稳压限幅电路。（设稳压管导通时的管压降是0V） 本章小结 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时，可根据不同情况，使用不同的二极管模型。 13.分析题中各二极管的工作状态（导通或截止），并求出输出电压，设二极管是理想的。 * 电子技术基础——模拟部分 主讲 申春 1、电子系统与信号 电子系统:是由若干相互联接、相互作用的基本电路 组成的具有特定功能的电路整体。 模拟信号:在时间上和幅值上均连续的信号。 信号：是信息的载体。自然界的各种物理量必须先 经过传感器转换为电信号再送入电子系统中加以处理。 例如：气候信息就包含温度、气压、风速等信号。 数字信号:时间和数值上都是离散的信号。 电压放大和功率放大 声音 音频放大器 传声器 传输导线 扬声器 模拟信号 例： 扩音系统 第一章 半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结的形成及特性 ※1.3 半导体二极管结构与特性 ※1.4 二极管基本电路及其分析方法 1.5 特殊二极管 1.1 半导体的基本知识 一、 半导体材料 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 si 硅原子 Ge 锗原子 +4 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 二、 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 常温300K时： 电子空穴对的浓度 硅： 锗： 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子空穴对 自由电子 带负电荷 电子流 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 E ＋ － 载流子 空穴 带正电荷 空穴流 本征半导体的导电性取决于外加能量： 温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。 导电机制 二. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。 1. N型半导体 在