应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 1 (2014) 017101 应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管 电荷模型∗ 周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 王冠宇 1)(西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071) 2)(重庆邮电大学光电工程学院, 重庆 400065) ( 2013 年8 月29 日收到; 2013 年9 月12 日收到修改稿) 基于应变Si/SiGe 器件结构, 本文建立了统一的应变Si NMOSFET 电荷模型. 该模型采用电荷作为状 态变量, 解决了电荷守恒问题. 同时采用平滑函数, 实现了应变Si NMOSFET 端口电荷及其电容, 从亚阈 值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性, 解决了模型的连续性问题. 然后采用模拟硬件描述语言 Verilog-A 建立了电容模型. 通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析, 验证了所建模型的有效性. 该模型 可为应变Si 集成电路分析、设计提供重要参考. 关键词: 应变Si n 型金属氧化物半导体场效应晶体管, 电荷模型, 平滑函数 PACS: 71.23.An, 71.70.Fk DOI: 10.7498/aps.63.017101 服Meyer 电容模型中的缺陷, 可以通过将电荷定义 1 引 言 10 状态变量来克服, 即采用基于电荷的电容模型 . 本文基于应变Si NMOSFET 漏电流的研究, 在线 应变Si(strained-Si, SSi) 材料具有高的载流子 性区、饱和区以及亚阈值区分别建立了器件的端口 迁移率, 带隙可调, 与传统的Si 工艺兼容等优点, 电荷模型, 然而采用分段函数的方法建立的电荷模 成为延续摩尔定律发展的关键技术而得到广泛研 型从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区 12 究 . 端口电容模型作为MOS 器件的重要交流 存在电容特性的不连续, 使得在电路仿真中存在动 参数, 是器件建模和仿真的难点和核心. 关于应变 Si NMOSFET 电容的研究已有报道37 , 然而已 态特性的不连续, 降低了模型精度. 因此随后采用 平滑函数, 实现了应变Si NMOSFET 端口电荷和 有的报道多集中于器件栅电容的研究, 且主要研究 电容的积累区特性, 而针对于MOS 器件而言, 器件 电容, 从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和 多工作于耗尽和反型区, 对耗尽和反型区的研究鲜 区的平滑性, 解决了模型的连续性问题. 最终建立 有报道, 同时未见完整的应变Si NMOSFET 各个 了统一的应变Si NMOSFET 电荷模型. 然后采用 端口电荷和电容的报道, 无法实现完整的器件模型 Verilog-A 语言描述了器件端口电容特性. 的建立以及将模型嵌入到仿真软件中.