第九章_半导体制造技术.ppt

目的 研讀本章內容後，你將可學習到： 描述多層金屬化。討論薄膜的特性需求。敘述和解釋薄膜成長的3個階段。 簡述不同的薄膜沈積技術。 列出和描述化學氣相沈積的8個基本步驟，包括不同形式的化學作用。 描述CVD反應限制及說明動態反應及CVD薄膜摻入雜質的影響。 描述不同形式的CVD沈積系統，解釋設備的功用及討論薄膜應用特殊工具的優點／限制。 解釋晶片技術中介電材料的重要性，列舉出應用例子。 討論磊晶及3種不同的磊晶沈積方法。 解釋旋塗式介電質。 MSI世代MOS電晶體之薄膜層 晶圓製造流程圖 簡介 晶圓之薄膜層 擴散 薄膜 薄膜的專門用語 多層金屬化 金屬層 介電層 ULSI晶圓的多層金屬化 晶片中之金屬層 薄膜沈積 薄膜特性 好的階梯覆蓋能力 具有充填高深寬比間隙之能力 好的厚度均勻性 高的純度及密度 理想配比可控制 具有低應力的高薄膜品質 電性佳 基板材料和薄膜附著性優越 固態薄膜 薄膜於步階上覆蓋 薄膜沈積之深寬比 高深寬比間隙 薄膜成長階段 薄膜沈積技術 化學氣相沈積 CVD的重要觀念 包含化學作用，經由化學作用或熱分解 (稱之為裂解 (pyrolysis))。 薄膜的材料源由外加氣體所供給。 CVD製程的反應物必須為氣相的形式(如氣體)。 化學氣相沈積機台 CVD化學製程 CVD的5個基本化學反應 熱裂解：化合物分解 (破壞鍵結或分解)，以熱的 方式通常無氧氣。 光分解：化合物分解，以輻射能的方式破壞鍵結。 還原：由分子與氫作用產生化學反應。 氧化：原子或分子與氧進行化學反應。 氧化還原：結合反應3及4，產生兩種新的化合物。 CVD反應 CVD反應步驟 速率限制步驟 CVD氣體流動力學 CVD壓力 CVD製程中摻雜 硼矽玻璃 硼磷矽玻璃 氟矽玻璃 CVD傳輸及反應步驟圖 CVD之氣體流 晶圓表面上之氣流動態 CVD沈積系統 CVD設備設計 CVD反應器加熱 CVD反應器構造 CVD反應器摘要 常壓CVD (APCVD) 低壓CVD (LPCVD) 電漿CVD 電漿增強CVD (PECVD) 高密度電漿CVD (HDPCVD) CVD反應器形式 CVD反應器形式及其主要特性 連續製程的APCVD反應器 APCVD TEOS-O3之改善的階梯覆蓋 PSG再熱流後之平坦表面 晶圓表面之邊界層 LPCVD反應室 用TEOS LPCVD的氧化物沈積 MOS元件經摻雜的多晶矽作為閘極電極 之重要原因 電阻率可由摻雜而定。 和SiO2的介面品質佳。 可適合於後續的高溫製程。 比金屬電極 (如鋁) 可靠度高。 於陡峭外形上沈積均勻。 可用於自我對準閘極製程 (見第12章)。 摻雜的多晶矽作為閘極電極 在CVD中使用電漿的優點 低的製程溫度(250至450℃)。 對於高深寬比間隙有很好的填溝(使用 高密度電漿)。 對晶圓有好的薄膜附著。 高的沈積速率。 由於針孔及孔洞小，有高的薄膜密度。 由於製程溫度低，應用範圍廣。 電漿CVD之薄膜形成 一般PECVD構造 LPCVD和PECVD氮化矽性質 高密度電漿沈積反應室 1900年代中期被廣泛使用 高密度的混合氣體朝向晶圓表面 所沈積的薄膜可充填高深寬比間隙 有各種不同高密度電漿源 晶圓偏壓及熱負載 同時沈積及蝕刻 沈積－蝕刻－沈積製程 HDPCVD製程的 5 個步驟 離子感應沈積 濺鍍蝕刻 再沈積 熱中性CVD 反射 在HDPCVD中晶圓在渦輪幫浦之頸部 介電質及特性 介電常數 填溝 晶片特性 低K介電質要求 高K介電常數 元件隔離 區域氧化 淺溝渠隔離 介電質填溝的三個步驟 用於ULSI內連接ILD有潛力的低k材料 內連線延遲 (RC) 和大小尺度 (?m) 總內連線電容 低k介電質薄膜之要求 一般DRAM堆疊式電容之圖形 淺溝渠隔離 旋塗式介電質 旋塗式玻璃 (SOG) 旋塗式介電質 (SOD) 磊晶 磊晶成長方法 氣相磊晶(VPE) 有機金屬CVD(MOCVD) 分子束磊晶(MBE) CVD品質測量 CVD問題解決 以旋塗式玻璃 (SOG) 填溝 HSQ低k介電質製程參數 磊晶 磊晶成長模式 磊晶成長方法 氣相磊晶(VPE) 有機金屬CVD(MOCVD) 分子束磊晶(MBE) 矽晶圓上之矽磊晶成長 氣相磊晶圖 矽氣相磊晶反應器 金屬階梯覆蓋ILD之主洞缺陷 p+ p+ p+ n+ n+ n+ 圖 11.18 多晶矽閘極 n井 p井 p? 磊晶層 p? 矽基板 PEVCD反應器 連續薄膜 8. 副產物去除 1.反應物進入反應室 基板 2.藉由電場將 反應物分解 3.薄膜先前物