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掺金N型硅中静态电荷转移机制的统计研究-CORE
第 19卷 第2期 V o l. 19, N o. 2
1999年 5月 RESEA RCH PROGRESS O F SSE M ay, 1999
N
颜永美
(, 361005)
, N
, ,
。
:
: T N 304. 12
Study on the ChargeTransferM echanism at Static State
in N Type Silicon Doped GoldUsing StatisticM ethod
Y an Y ongm e i
(D ep t. of P hy s. , X iam en Univ. , 36 1005, CHN )
Abstract: It is stud ied th at the con cen t a t io n of ca ie and the ch a g e den sity
on ene gy lev els of im pu ities in the N type silicon doped go ld v a y w ith tem pe a-
tu e by sta t ist ic m e thod. T he eby the cha ge t ansfe m echanism a t stat ic sta te is
app o ached. T he esu lts suppo t the know ledg e tha t the go ld accepto lev el and the
g o ld do no leve l in silicon essent ia lly o ig ina te f om the sam e go ld mi pu ity.
Key W ords: Silicon Doped Gold Charge Transfer M echanism Statistic
M ethod
: 2520
EEACC
ACC: 1220
1 引 言
, , 。,
, ;
, ,
。,
2 :
N 227
N ,
。,
。
,
。
2 原理与计算
、, N ,
- - + +
no + N A + N A uA = Po + N D + N A uD ( 1)
- -
o , A , A uA
n N N
+ +
, Po , N D
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