碲化镉太阳能电池优势与缺陷.PPT

4.碲化镉太阳能电池成本估算 4.碲化镉太阳能电池成本估算 5.碲化镉太阳能电池优势与缺陷 缺点 第一，碲原料稀缺，无法保证碲化镉太阳能电池的不断增产的需求。 第二，镉作为重金属是有毒的。碲化镉太阳能电池在生产和使用过程中的万一有排放和污染，会影响环境 前景展望 CdS薄膜与Cu2S/CdS太阳电池 Cu2S／CdS是一种廉价太阳电池，它具有成本低、制备工艺十分简单的优点。在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。 用喷涂法制备CdS薄膜，其方法主要是将含有S和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。 CdS／CulnSe2太阳电池 Cu1nSe2材料具有到目前为止所有半导体材料中的最高吸收系数。 CIGS薄膜太阳能电池的结构 结构原理 CIGS薄膜电池的异质结机理 CIGS电池的实质：窗口-吸收体结构的异质p-n结太阳能电池 CIGS薄膜太阳能电池的优点 材料吸收率高,吸收系数高达105量级,直接带隙,适合薄膜化,电池厚度可做到2~3微米,降低昂贵的材料成本 光学带隙可调.调制Ga/In比,可使带隙在1.0~1.7eV间变化,可使吸收层带隙与太阳光谱获得最佳匹配 抗辐射能力强.通过电子与质子辐照、温度交变、振动、加速度冲击等试验,光电转换效率几乎不变.在空间电源方面有很强的竞争力 稳定性好,不存在很多电池都有的光致衰退效应 电池效率高.小面积可达19.9%,大面积组件可达14.2% 弱光特性好.对光照不理想的地区犹显其优异性能. 缓冲层（Buffer Layer） 在CIGS太阳电池中，最常用的缓冲层材料为n-CdS，它的主要目的在形成与p-CIGS之间的pn接合。 CdS也是直接能隙的材料，在室温的能隙大小为2.42eV。CdS与CIGS薄膜之间的晶格匹配非常好，但随着CIGS薄膜里头Ga含量的增加，晶格匹配性会降低。 透明导电氧化层 可以用来当成透明导电氧化层材料有三种，包括有SnO2、In2O3:Sn(简称为ITO)、及ZnO。 SnO2必须在较高的温度下淀积产生，这点限制了它应用在CIGS太阳电池上的可能性，这是因为已覆盖着CdS的CIGS薄膜，无法承受250℃以上的高温之故。 而ITO及ZnO两者都可被应用在CIGS太阳电池上，其中ZnO最为普遍被采用，这是因为它的材料成本低的原因。在ZnO中添加适当的Al，也是颇为常见的透明导电氧化层材料。 窗口层 作为前电极，最常用的材料是硼或铝掺杂的ZnO。 正面金属电极 在TCO层的上方还有金属电极，它的形状通常是网格状的（grid）。而且金属电极所占的面积越小越好，这样才可允许较多的光线可以进入太阳电池内。 金属电极的材料通常为Ni及Al， 在作法上，是先在TCO层上镀上数十纳米宽的Ni，以避免形成高电阻的金属氧化物，接着再镀上数微米宽的Al。 挠性的基板CIGS或CIS太阳电池 使用挠性的基板具有相当高的吸引力，因为它可以制造出重量轻盈的可挠性的CIGS或CIS太阳电池。 它的另一个优势是它可以利用roll-to-roll的工艺来生产。所使用的基板材料，可为不锈钢箔、软性塑料等。 组件生产和商业化 1.整体集成的互连 薄膜光伏技术的一个固有优点是使用整体集成的可能性，即在一个组件里将单元电池实施串联集成。下图展示出这种电池间连接的方案，它要保证一个电池的背电极Mo层分割开来，并由此确定单元电池的宽度，它是0.5～1cm量级。 通常，使用激光刻画Mo层。第二步刻图是在吸收层和过渡层沉积之后完成，最后一步刻图是在窗口层沉积之后完成。由于电池长度确定刻画的长度可以大于1m。典型的电池间连接宽度是300μm量级。这样，大约3%～5%的电池面积为了这个连接而牺牲了。 淀积与刻画顺序 注： 成本计算依据①电池结构为玻璃/SnO2：F /CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe：Cu/Ni ②碲化镉薄膜的厚度为5微米③转换效率7%， 1MW碲化镉薄膜太阳能电池所消耗的材料的成本 可见，碲化镉和透明导电玻璃构成材料成本的主体，分別占到消耗材料总成本的45.4%和38.2%。如将碲化镉薄膜的厚度减薄1微米，则碲化镉材料的消耗将降低20%，从而使材料总成本降低9.1%，即从每峰瓦6.21 元降为5.64元。如使用99.999%纯度的碲化镉，效率依然能达到7%，材料成本还将进一步降低。 1 碲化镉薄膜太阳能电池在工业规模上成本大大优于晶体硅和其他材料的太阳能电池技术，生产成本仅为0.87美元/W。 2 其次它和太阳的光谱最一致，可吸收95%以上的阳光。 3 工艺相对简单，标准工艺，低能耗，无污染，生命周期结束后，可回收，强弱光均