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37 1 ( ) 2007 2
Vol.37 No. 1 JOU NAL OFSHANDONGUNIVE SITY (ENGINEE ING SCIENCE) Feb. 2007
:2007)
吕 伟, 吴莉莉, 邹 科, 吴佑实
( , 250061)
: 主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法, 制备出GaN 纳米线 纳米带. 通过X- 射线衍射(X D) , 扫面电镜
(SEM) 高分辨透射电镜(H TEM) 等测试手段对其形貌进行了表征 分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对
所制备GaN 纳米结构形貌特征的影响. 对两种GaN 纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析.
: 氮化镓;低维纳米结构; 表征
:O611 :A
Preparation and characterization of lowdimensional GaN nanostructues
LUWei, WU Lili, ZOU Ke, WU Youshi
(School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan 250061, China)
Abstract: GaN nanowires and nanobelts were synthesized via thevaporphasedeposition method with GaN as
initiating reagents. The products were characterized by X D, SEM and H TEM. The influence of different
technological parameters to the morphology of GAN was studied. The aman spectra of GaN nanowires and
nanobelts were also analyzed.
Key words: gallium nitride; lowdimensional nanostructues; characterization
GaN .
0 引言
, 1997 ,
GaN, , GaN ,
3.4 eV.GaN 3 , 9!
15 nm . : Al O
2 3
, Ga O Ga ,
2 3
, 10,11!
NH , GaN , GaAs
, , 3
12!
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