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XPS的原理

XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 X射线的伴峰:X射线一般不是单一的特征X射线,而是还存在一些能量略高的小伴线,所以导致XPS中,除K?1,2所激发的主谱外,还有一些小的半峰。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 Mg阳极X射线激发的C1s主峰及伴峰 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 X射线“鬼峰” :有时,由于X射源的阳极可能不纯或被污染,则产生的X射线不纯。因非阳极材料X射线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰”。 Contaminating Radiation Anode Materials Mg Al O (K?) Cu (L?) Mg (K?) Al (K?) 728.7 323.9 - -233.0 961.7 556.9 233.0 - XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 震激和震离线:在光发射中,因内层形成空位,原子中心电位发生突然变化将引起外壳电子跃迁,这时有两种可能:(a)若外层电子跃迁到更高能级,则称为电子的震激(shake-up);(b)若外层电子跃过到非束缚的连续区而成为自由电子,则称为电子的震离(shake-off)。无论是震激还是震离均消耗能量,使最初的光电子动能下降。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 Ne的震激和震离过程的示意图 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 Cu的2p谱线及震激结构 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 多重分裂 :当原子的价壳层有未成对的自旋电子时,光致电离所形成的内层空位将与之发生耦合,使体系出现不止一个终态,表现在XPS谱图上即为谱线分裂。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 Mn+离子的3s轨道电离时的两种终态 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 MnF2的Mn3s电子的XPS谱 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 能量损失峰 :对于某些材料,光电子在离开样品表面的过程中,可能与表面的其它电子相互作用而损失一定的能量,而在XPS低动能侧出现一些伴峰,即能量损失峰。 当光电子能量在100~1500 eV时,非弹性散射的主要方式是激发固体中自由电子的集体振荡,产生等离子激元。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 发射的光电子动能为: 其中:n是受振荡损失的次数,EP是体等离子激元损失的能量,ES是受表面等离子激元损失的能量。一般 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 Al的2s谱线及相关的能量损失线 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的识别 因C, O是经常出现的,所以首先识别C, O的光电子谱线,Auger线及属于C, O的其他类型的谱线。 利用X射线光电子谱手册中的各元素的峰位表确定其他强峰,并标出其相关峰,注意有些元素的峰可能相互干扰或重叠。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的识别 识别所余弱峰。在此步,一般假设这些峰是某些含量低的元素的主峰。若仍有一些小峰仍不能确定,可检验一下它们是否是某些已识别元素的“鬼峰”。 确认识别结论。对于p, d, f 等双峰线,其双峰间距及峰高比一般为一定值。p峰的强度比为1:2;d线为2:3;f线为3:4。对于p峰,特别是4p线,其强度比可能小于1:2。 XPS ??XPS分析方法 化合态识别 在XPS的应用中,化合态的识别是最主要的用途之一。识别化合态的主要方法就是测量X射线光电子谱的峰位位移。 对于半导体、绝缘体,在测量化学位移前应首先决定荷电效应对峰位位移的影响。 XPS ??XPS分析方法 化合态识别-光电子峰 由于元素所处的化学环境不同,它们的内层电子的轨道结合能也不同,即存在所谓的化学位移。 其次,化学环境的变化将使一些元素的光电子谱双峰间的距离发生变化,这也是判定化学状态的重要依据之一。 元素化学状态的变化有时还将引起谱峰半峰高宽的变化。 XPS ??XPS分析方法 化合态识别-光电子峰 S的2p峰在不同化学状态下的结合能值 XPS ??XPS分析方法 化合态识别-光电子峰 Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离 XPS ??XPS分析方法 化合态识别-光电子峰 ? CF4 C6H6 CO CH4 半峰高宽(eV) 0.52 0.57 0.65 0.72 C1s在不同化学状态下半峰高宽的变化 XPS ??XPS分析方法 化合态识别-Auger线 由于元素的化学状态不同,其Auger电子谱线的峰位也会发生变化。 当光电子峰的位移变化并不显著时,Auger电子峰

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