疏水型二氧化硅气凝胶薄膜的制备.pdfVIP

第 42卷 第 3期 中 国 陶 瓷 Vol.42 No.3 2006年 3月 Mar.2006 研究与开发 文章编号：1001-9642（2006）03-0029-03 疏水型二氧化硅气凝胶薄膜的制备 同小刚，王 芬，冯海涛 (陕西科技大学材料科学与工程学院， 咸阳 712081) 【摘要】：采用sol-gel技术、dip-coating技术和 临界干燥技术，但该技术需要在高压下进行，条件苛 表面修饰相结合的镀膜工艺，在玻璃表面上形成了SiO [5] 2 刻且危险 ；又因制备出来的SiO气凝胶薄膜的孔状结 2 气凝胶薄膜。利用XRD、EDS、红外光谱以及自制接触 构在空气中易于吸收水分，引起SiO气凝胶薄膜性能 2 角测试仪多种测试手段，对二氧化硅气凝胶薄膜进行 [6] 的下降 ，因此寻求其它的制备工艺，制备疏水型的 了测试。结果表明：采用三者相结合技术制备的SiO气 2 SiO气凝胶薄膜便成为该领域的研究热点。 凝胶薄膜呈非晶态、纯度较高，润饰角达到75°，具 2 有良好的疏水性能。 以正硅酸乙酯，无水乙醇、盐酸、氨水和去离子 【关键词】：疏水，气凝胶薄膜，表面修饰，接触角 水为原料，以自配的三甲基氯硅烷 （TMCS，浓度为6%） 为表面改性剂，在常压下获得了具有良好疏水性能的 SiO气凝胶薄膜。这种常压干燥技术结合表面修饰方 1 前 言 2 [7] 法来制备SiO气凝胶薄膜的工艺 ，所需设备简单、便 2 SiO气凝胶薄膜是经特殊的处理工艺，排除溶胶 [8] 2 宜，只要技术成熟，能够进行连续性和规模化生产 。 凝胶法制备的醇凝胶中的溶剂后，得到的一种多孔性 2 实 验 [1～3] 材料 。这种孔状的材料具有低密度、低导热系数、 [4] 2.1实验过程 低介电常数和低折射率等独特性能 ，在众多领域有着 广泛的应用。 制备薄膜的工艺流程如图1所示，以TEOS:EtOH: -4 目前，制备SiO气凝胶薄膜较为成熟的技术是超 HO:HCl=1.0：3.8:1.1:7.0×1 的摩尔浓度比进行 2 2 图1 SiO气凝胶薄膜的工艺流程