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THB8128芯片说明书
HHBY THB8128
THB8128
高细分两相混合式步进电机驱动芯片
一、 特性:
● 双全桥 MOSFET 驱动,低导通电阻 Ron=0.40Ω
● 最高耐压 50VDC,大电流4.3A(峰值)
● 多种细分可选(1/2、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128、1/10、1/20)
● 自动半流锁定功能
● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选
● 内置温度保护及过流保护
二、 管脚框图:
北京海华博远科技发展有限公司 - 1 - 2011年 08月
HHBY THB8128
三、 管脚说明:
端子 No 端子符号 端子说明
17 DOWN 通电锁定时输出端
20 SGND 信号地
14 OSC1 斩波频率设定电容连接端
16 PFD 衰减模式选择电压输入端
19 VREF 电流设定端
21 VMB B 相 电机电源连接端
7 M1 细分设置端
8 M2 细分设置端
9 M3 细分设置端
22 OUT2B B 相 OUTB输出端
24 NFB B 相 电流检测电阻连接端
25 OUT1B B 相 OUTB输出端
23 PGNDB B 相 功率地
1 OUT2A A 相 OUTA输出端
2 NFA A 相 电流检测电阻连接端
4 OUT1A A 相 OUTA输出端
3 PGNDA A 相 功率地
10 ENABLE 脱机信号控制端
11 RESET 复位信号输入端
5 VMA A 相 电机电源连接端
13 CLK 脉冲信号输入端
12 CW/CCW 正/反转信号输入端
15 OSC2 通电锁定检出时间设定电容连接端
18 MO 位置检出 Monitor 端
6 ST/VCC 待机控制端
北京海华博远科技发展有限公司 - 2 - 2011年 08月
HHBY THB8128
四、 电器参数:
1、 电器特性Electrical Characteristics (Ta 25°C, VREF 1.5 V, VM 24 V)
项目 符号 条件
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