THB8128芯片说明书.pdfVIP

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THB8128芯片说明书

HHBY THB8128 THB8128 高细分两相混合式步进电机驱动芯片 一、 特性: ● 双全桥 MOSFET 驱动,低导通电阻 Ron=0.40Ω ● 最高耐压 50VDC,大电流4.3A(峰值) ● 多种细分可选(1/2、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128、1/10、1/20) ● 自动半流锁定功能 ● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选 ● 内置温度保护及过流保护 二、 管脚框图: 北京海华博远科技发展有限公司 - 1 - 2011年 08月 HHBY THB8128 三、 管脚说明: 端子 No 端子符号 端子说明 17 DOWN 通电锁定时输出端 20 SGND 信号地 14 OSC1 斩波频率设定电容连接端 16 PFD 衰减模式选择电压输入端 19 VREF 电流设定端 21 VMB B 相 电机电源连接端 7 M1 细分设置端 8 M2 细分设置端 9 M3 细分设置端 22 OUT2B B 相 OUTB输出端 24 NFB B 相 电流检测电阻连接端 25 OUT1B B 相 OUTB输出端 23 PGNDB B 相 功率地 1 OUT2A A 相 OUTA输出端 2 NFA A 相 电流检测电阻连接端 4 OUT1A A 相 OUTA输出端 3 PGNDA A 相 功率地 10 ENABLE 脱机信号控制端 11 RESET 复位信号输入端 5 VMA A 相 电机电源连接端 13 CLK 脉冲信号输入端 12 CW/CCW 正/反转信号输入端 15 OSC2 通电锁定检出时间设定电容连接端 18 MO 位置检出 Monitor 端 6 ST/VCC 待机控制端 北京海华博远科技发展有限公司 - 2 - 2011年 08月 HHBY THB8128 四、 电器参数: 1、 电器特性Electrical Characteristics (Ta 25°C, VREF 1.5 V, VM 24 V) 项目 符号 条件

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