硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ! # 5678! (68# ! ! ! ! ! ! 年 月 ! !$$# # %’()*)+,-.(/0 ,1*)2’%,(3-%4,.* +9:;!$$# 硅衬底片上螺旋电感宽带 等效电路模型 K ! O 杨 帆 王向展 郑 薇 任 军 尤焕成 李立萍 杨谟华 ! ! ! ! ! ! ! ! ! 电子科技大学!成都 $ #P$$NV ! 摘要!针对高损耗硅衬底!基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型!建立了一种新的片上螺旋电感物理模 型 该模型考虑了趋肤效应%邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约!并通过 8 等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性 通过与全波分析方法对比!验证了在 范围内由该模型 ! 8 PNU^ ) 导出的等效电感%等效电阻和 值误差均在 以内 该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进 Z Tg 8 一步的理论探讨8 关键词!片上螺旋电感物理模型! 等效电路趋肤效应邻近效应衬底涡流损耗 ) # GG+CC !PV$ PMN$ !N#$ 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # 4(VNV / $!NMWVP!$$# $#W$P$TVW$N ! ! ! ! ! ! 径! 线圈宽度! 线圈间距! 金属层厚度! 顶层 G # * ’ 引言 金属与下层金属之间的距离! 上层金属到衬底的 * J 6‘ ! 距离! 衬底厚度 * 8 A9D 近年来!随着无线通信技术的快速发展!