带p埋层表面注入硅基ldmos模型与优化 analytical model and optimization of bulk-silicon surface implanted ldmos with p buried layer.pdfVIP

第28卷第8期 半导体学报 Vol28No8 CHINESEJOURNALOF 2007年8月 SEMICONDUCTORS Aug，2007 带P埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化 李琦+ 张 波李肇基 (电子科技大学Ic设计中心，成都610054 LDMOS(surfaceLDMOS 摘要：提出一种带P埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构，称为BSI implanted with P 增大漂移区优化浓度．求解电势的二维Poisson方程，获得表面电场和击穿电压的解析式，研究结拘参数对表面电 场和击穿电压的影响，数值与解析结果吻合较好结果表明：与常规结构相比较，BSILDMOS大大改善了击穿电压 和导通电阻的折衷关系 关键词：P埋层；表面注入；表面电场 击穿电压；模型 EEACC：2560B；2560P 中圈分类号：TN432 文献标识码 A 文章编号：0253-4177(2007)08，1267．05 本文提出硅基BSILDMOS高压器件新结构． 引言 其机理是通过表面注人n+薄层降低导通电阻，漂移 区始端采用P离子注入埋层来减小沟道区等位线的 LDMOS是一种常用的横向高压器件，其优点曲率，这样不但改善横向表面电场分布，提高击穿电 是工艺简单，可以采用结隔离和介质隔离实现，电路 压，而且增大漂移区优化浓度，使导通电阻进一步降 设计难度低．REsuRF(降低表面电场)技术广泛地低．求解漂移区电势的二维Poisson方程，获得表面 应用于高压集成电路，使高压器件和低压电路集成 电场和击穿电压的解析式，研究结构参数对表面电 到单芯片上，其优点是导通电阻低以及器件尺寸较 场和击穿电压的影响，与MEDICI的数值结果比 小“‘2]．对于均匀漂移区结构，为获得较高的击穿电 较，二者吻合较好．结果表明：BSILDMOS较常规 压，漂移区掺杂浓度较低，导通电阻较大．近年来，为 结构击穿电压提高近16％，导通电阻下降31％，改 了改善击穿电压与导通电阻的折衷关系，提出了各 善了击穿电压和导通电阻的折衷关系． 种新结构及结终端技术．Hardikar等人。31研制了变 RESURF 掺杂double LDMOS，导通电阻较常规结2结构和模型 构降低近一半；Schulze等人“3用横向变掺杂来提高 图1是BSILDMOS的结构图．该结构可以通 pn结的边缘击穿电压；Disney-53研制了导通电阻为 过多次表面注入工艺实现漂移区表面注入浓度和 6012·mm2，击穿电压为600V带埋导电层的P型 LDMOS；Charitat等人”3研究了SIPOS层的结终结深分别为Ⅳ。；和t。本底漂移区掺杂浓度和漂移 端技术；Park等人03研究了双外延层的槽型电极 LDMOS，其导通电阻为183mn·mln2，击穿电压为 142V．对于硅基器件耐压模型研究，由于受边界条 件的限制，大多数为均匀漂移区结构．Imam等人01 由漂移区电荷共享，建立了常规器件的1-D耐压模 型；HeJin等人03通过求解二维Poisson方程，获得 了吻合较好的表面电场和电势分布的准二维解析模 型；方健等人“”建立了功率器件的开态模型；张渡 等人口”建立了变掺杂硅基LDMOS耐压模型，数值