带有复合掺杂层集电区的inpingaasinp dhbt直流特性分析 analysis of an inpingaasinp dhbt with composite doping collector.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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带有复合掺杂层集电区的inpingaasinp dhbt直流特性分析 analysis of an inpingaasinp dhbt with composite doping collector.pdf

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带有复合掺杂层集电区的inpingaasinp dhbt直流特性分析 analysis of an inpingaasinp dhbt with composite doping collector

第卷第期半导体学报 27 8 VOl.27 NO.8 年月 , 2006 8 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Au . 2006 g 带有复合掺杂层集电区的 ! ! InP InGaAs InP DHBT 直流特性分析% ! 1 T 1 1 1 2 2 2 2 孙浩齐鸣徐安怀艾立! 苏树兵刘新宇刘训春钱鹤中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 1 200050 中国科学院微电子研究所,北京 2 100029 摘要设计了一种新结构 / / 双异质结双极晶体管 ,在集电区与基区之间插入 + 层, InP IngaAS InP D~BT n -InP 以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了 + . n - InP插入层掺杂浓度和厚度对 / / 集电结导带有效势垒高度和特性的影响结果表明,当 InP IngaAS InP D~BT I-V . + 插入层掺杂浓度为 19 -3 ~厚度为时,可以获得较好的器件特性采用气态源分子束外延 n -InP 3 10 c 3n . 技术成功地生长出 / / 结构材料器件研制结果表明,所设计的