氮氧化硅薄膜红外吸收特性的研究 infrared absorption properties of silicon oxynitride films.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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氮氧化硅薄膜红外吸收特性的研究 infrared absorption properties of silicon oxynitride films

氮氧化硅薄膜红外吸收特性的研究周顺1,2,刘卫国1,2 蔡长龙2，刘欢2 1.西安电子科技大学微电子学院，陕西西安 710071； 2.西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室，陕西西安 710032 摘要：利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮氧化硅(SiOxNy)薄膜，通过X射线光电子能谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪等表征技术，研究不同N2O与NH3流量比R条件下薄膜的组分、光学常数及红外吸收特性。研究结果表明：随着流量比R的增加，SiOxNy薄膜中O的相对百分含量提高，N含量降低，而Si含量基本不变；薄膜由于Si-O、Si-N键形成的吸收峰峰值波长向短波（高波数）移动，变化范围为11.6μm（波数860cm-1）～9.4μm（波数1063cm-），且吸收峰的宽度先增大后减小。此外，薄膜的折射率与薄膜中H含量也随流量比R的增加而降低。相比于 SiOx，SiNx薄膜，组分特定的SiOxNy薄膜的吸收峰最宽且在长波红外窗口8～12 μm内吸收强度最大，说明SiOxNy薄膜是一种良好的热探测器选择吸收层材料。光学；薄膜；氮氧化硅；红外吸收；等离子体增强化学气相沉积 0433.4 A 1000-1093(2011)10-1255-05 InfraredAbsorptionPropertiesofSiliconOxynitrideFilms ZHOU ShunLIUWei-guo CAIChang-longLIUHuan 2010-12-13 陕西省教育厅专项科研计划项目（2010JK590）；陕西省重点实验室开放基金项目(ZSKJ200904) 周顺（1979-）,男，讲师，博士研究生。E-mail：zsemail@126.com；刘卫国（1964-）,男，教授，博士研究生导师。E-mail：wgliu@163.com 率数能够被分率薄 [J].PhysicaStatusSolidi(C)CurrentTopicsinSolidState Physics,2010,7(3-4):828-831. @@[6]刘卫国，金娜.集成非制冷热成像探测阵列[M].北京：国防工业出版社,2004：250-256. LIUWei-guo,JINNa.Integrateduncooledinfraredimagingarrays [M].Beijing:NationalDefenseIndustryPress,2004:250- 256.(inChinese) @@[7] LenggenhagerR,JaeggiD,MalcovatiP,etal.CMOSmembrane infraredse