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德州仪器 最新DualCoolri 在标准封装尺寸下将散热效率提升80％、允许电流提高50％ 电子技术应用网记者陈颖莹 随着许多标准架构(PCI、AT—部散热的标准尺寸功率MOSFET产触传递到HeatSink上去。通过系统 CA)，电信及服务器机柜的尺寸越来 品系列。相对其他标准尺寸封装的 级仿真证明，这种增强型封装技术 越小，功率密度会越来越大。在相同 产品，该产品系列具有高效的双面 可将封装顶部热阻从10～15℃／W 尺寸下，PCB板上集成的芯片越来 散热技术，将允许通过FET的电流 降至1．2℃／W，从而将该封装所能 越多，从而导致其电流不断增加。所 提高了50％，设计人员无需增加终 承受的功耗提升80％。 以，客户需要具有更小体积和更高电 端设备尺寸，即可高度灵活地使用 DualCool 流的DC／DC电源，以满足各种基础需要更高电流驱动的处理器。” 采用业界标准5mmx6mmSON封 DualCool 设施市场对处理器功能提出的更高 NexFET功率MOSFET使装，可简化设计、降低成本，与使用2 mm2 要求。1-I于近日推出了一款采用创 得功率转换产生的热量能通过对流 个标准5x6封装相比，可节省30 NexFETTM 新封装手段的DualCoolTM 冷却从顶端散出，不但提高了功率 的空间。此外，作为单相35A同步 功率MOSFET，它能够以不变的几何密度、电流承受能力，同时增强了系 降压转换器的MOSFET，它采用1个 NexFET 尺寸传输更多的电流，可充分满足 统稳定性。图1为DualCool 客户需求。 和标准的QFN封装截面视图。由 用中的高、低侧2种开关需求。该系 rn中国区电源产品业务拓展工 图1可以看出，与传统的MOSFET相 程师吴涛向记者介绍：“NexFET比，DualCool上面有一块金属表层，算机与电信系统设计人员使用具有 MOSFET技术本身就具有高密度结其具有减少上表面热阻的功能。也 扩充内存及更高电流的处理器，同 构、低门极电荷、低导通电阻等优点， 就是说，DualCoolNexFET功率MOS—时显著节省板级空间。这些采用高 比沟槽技术的充电电荷降低了一半 FET上表面产生的热量既可以通过 级封装的MOSFET可广泛用于各种 左右。全新的DualCoolNexFET功率 下表面传到板上去，也可以通过上 终端，如台式个人计算机、服务器、 MOSFET是，11面向高电流DC／DC 表面源极的金属片传递到热阻很小 电信或网络设备、基站以及高电流 应用推出的业界第一个通过封装顶 的额外的这块金属片上，再通过接 工业系统等。 DualCool 效率电源管理半导体设计商CI— CLON半导体器件公司以来推出的 第一款全新的功率MOSFET产品， 进一步壮大了11现有的电源管理 产品系列，也标志着，11能够为客户