05 51存储器扩展 I的O扩展[第5章].ppt

5.1 半导体存储器的扩展 5.2 MCS-51并行I/O接口的扩展 5.3 LED显示器的设计 5.4 按键和键盘的设计 5.5存储器扩展、动态显示和键盘的实验; 5.1.1 半导体存储器基础 内存：磁芯存储器 半导体存储器 外存： 磁表面存储器 光盘存储器 磁鼓、磁带和磁盘 1．半导体存储器的分类和作用 按工艺： 双极型 MOS型(场效应管) 按功能： RAM (SRAM、 DRAM 、SDRAM) ROM (掩膜、 PROM、 EPROM、 FLASH) 近年来：易失性存储器 非易失性存储器; （1）RAM 数据随时读写，读则取之不尽、写则盖旧换新。 按存取方式分：静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。 ; （2）ROM存储器 信息掉电不丢失。按编程方式分为三类： 掩模ROM： 工厂批量写入 PROM ： 用户写入，但只有一次。 EPROM： 可被反复擦写的PROM ，按擦除方法又分为： a、紫外光擦洗 UVEPROM； b、电擦洗 EEPROM、（在线改写，字节擦或块擦）； 闪速存储器：存储容量大、擦除和编程速度快。;（3）新型存储器： OTP ROM：是一种新型PROM，已经过测试性编程。 FRAM：非易失性铁电存储器，属未来型。具有DRAM的高集成度和低成本的优点，又有SRAM 的存取速度以及EPROM的非易失性。但其存取周期是有限的，向无限次发展。 nvSRAM：新型非易失性静态读写存储器，由美国96年推出，可靠性高，号称“LOW COST” 新型动态存储器：专门用于大容量的系统机和工作站。;（1）存储容量 存储器能够存储的信息总量. 存储容量=字数╳字长 1K=210=1024 1M=220=1024K 1G=230=1024M 1T=240=1024G ;（2）最大存取时间 存储器从接收到存储单元的地址开始,到读出或写入数据为止所需要的时间称为存取周期,该时间的上限值称为最大存取时间 （3）存储器功耗 存储器功耗是指它在正常工作时所消耗的电功率.该功率由“维持功耗”和“操作功耗”组成 （4）可靠性和工作寿命 抗干扰能力强、寿命也较长 （5）集成度 指在一块数平方毫米芯片上能够集成的晶体管数目，有时也以每块芯片上集成的基本存储电路个数来表征，故常以位/片表示;3. 半导体存储器的基本结构;（2）双译码编址存储器; ;5.1.2 只读存储器ROM;1.ROM的工作原理;读原理：由地址线先选中相应的字线（为高电平），掩模ROM存储“0”或“1”是由存储单元中各位是否有MOS管决定（有为0，无为1）。 其信息在制造芯片时写入。 ;（2 ）PROM存储器原理 ;（3 ）EPROM的工作原理; 1987年首次出现 ，是UVEPROM和EEPROM结合的产物 存储容量不断发展，制造工艺不断提高。 按接口种类划分： 标准的并行接口闪存： 按三总线连接 NAND（与非）型闪存： 引脚分时复用 串行接口的闪存： 通过一个串行数据输入和一个串行数据输出来和CPU接口;2. 典型ROM芯片介绍;(2) 2764 的引脚功能;(3)2764的工作方式;（2）EEPROM;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;（3）闪速存储器;串行Flash芯片： ;随机读写;（1）静态RAM的工作原理;;2. 典型RAM芯片介绍;内部结构;引脚的功能;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;6264的工作方式;(1)确定类型、容量;需要RAM：8K×8 若用2128（2K×8）需4片 若用2116（16K×1）需8片 扩展的容量为：16K×8 ;片内ROM ( 8031无片内ROM ) MOVC 片外ROM MOVC 片内RAM MOV 片外RAM MOVX; 三总线原则 (1)地址总线的连接 地址总线选择某一存储器芯片及芯片内的某一存储单元 P0：低8位地址线 由于P0口具有双重复用的功能，还用来传送数据 需外加一个8位地址锁存器 目前常用的锁存器是74LS 373和Intel 8282 ;地址锁存器 74LS 373和Intel 8282的逻辑图 ;D为输入 Q为输出