4 静电场中的电介质的.ppt

教学基本要求;第四章 静电场中的电介质;二、基本概念;电介质：电阻率很大、导电能力很差的绝缘体称为电介质；电介质分为极性分子和无极性分子两类。电介质放入电场中，介质表面出现极化电荷，反过来影响电场的分布。 ;电介质中的电场：电介质中的场强 是自由电荷 的场强 与极化电荷 的场强 两者叠加的结果。 ; 由于极化电荷 不易求得，应用高斯定理求介质中的电场 时遇到困难，为避免在计算中出现与极化电荷有关的项，引入电位移矢量，表示为; 当自由电荷的分布和电介质的形状都具有一定的对称性时，可利用电介质中的高斯定理求出电位移矢量 ，再由 求出电介质中的电场强度，它的优点是不必求 。;电容： 电容是表征导体或导体组储存电荷能力的物理量。 ; 电容器并联在满足耐压的情况下，增大电容量，且每个电容器两端电压相等，???等于等效电容器的两端的电压。;静电场的能量:在电荷移动过程中，外力必须做正功。外力做的功转化为电能储存在电场中。 孤立导体或电容器储存的电场能量为;整个电场空间的总能量为;例题1;例题2;例题3;例题4;例题5;例题6;例题7;例题8;例题9;例题11;p1;例题12;电容的改变量为;例题13;R1;根据电容定义;例题14;t;（3）极板和介质间隙中的场强 ;例题15;d;例题16;d’;d’;例题17;d;d;例题18;解：设圆柱上的带电量为Q，在介质中离轴x（rxR）处，作半径为x的同轴圆柱面和上、下两底面作为高斯面。利用有电介质时高斯定理，求得该处的电位移为;圆柱形电容器的电容为;例题19;K;解两式得;因此，得C1 、C2和C3上的电势差分别为;20、如图所示，一电容器由面积都是S的锡箔构成，相邻两锡箔的间距都是d，外面两片锡箔连在一起为一极，中间锡箔片为另一极，求：电容器的电容。 ;解：根据题意，与电源相连接的是两个并联的相同的空气平行板电容器