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chap13未来趋势和挑战
新型器件结构
目前研发焦点
“无光源”纳米结构制备技术;1900;器件几何尺寸的减小直接导致：
1、减小寄生电容，由此减小MOSFET的开关时间
减小功耗
2、增加单位面积晶体管的数量
增强电路功能
促成并行运算
增大运算速度;集成电路特性的改善和成本的降低主要是通过晶体管几何尺寸持续不断地减小得以实现的。;Wakabayashi
NEC;体硅MOSFET技术;MOSFET：一个低功耗、效率高的逻辑开关;为什么需要新的晶体管结构?;薄体MOSFET;双栅 “FinFET”;Φ 14 nm
Φ 10 nm;目前研发焦点: 如何增大驱动电流？;前端工艺中的一些关键技术;后端工艺中的一些关键技术;Graphene sheet;关键尺寸 100 nm;Ref：KLA Tencor;为什么“光刻”技术如此成功?;光刻基本要求 ;适用于小批量制备/制造的纳米级“光刻”
电子束曝光，EBL：Electron-Beam Litho
纳米压印， NIL：Nano-Imprint Litho
“侧墙转移”，STL：Sidewall-Transfer Litho;EBL的特征和优点;EBL的分辨率 ;EBL分辨率的提高 ;NIL工艺流程和特征;NIL在大尺寸硅片上应用实例;;NIL制作的互连双大马士革结构。减少制作步骤。;Top view
;Top view
;Top view
;Top view
;Top view
;Top view
;Top view;10 poly-Si lines
Width=45 nm;Fin W=35 nm
Fin H=27 nm
L=70 nm;常规光刻技术和标准硅薄膜工艺技术的革新和结合
对细线条而言，理论上 k1?0
Pitch的大小由常规光刻技术的分辨率决定
常规光刻技术的使用保证了高产率;2n lines after n iterations of spacer lithography!;STL工艺中线条尺寸的控制;STL;Summary
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