钝化与场板结构对algangan hemt电流崩塌的影响 effects of passivation and fp structure on current collapse in an algangan hemt.pdfVIP

第28 卷 第1 期 半 导 体 学 报 VOl. 28 NO. 1 2007 年1 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. ，2007 钝化与场板结构对AlgaN/ gaN HEMT 电流崩塌的影响＊ T 马香柏 张进城 郭亮良 冯 倩 郝 跃 （西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 7 1007 1 ） 摘要：由于AlgaN/ gaN HEMT 的几何结构以及很强的极化效应， 漏区域的电场很大，以至于电子可以从 隧穿 ! ! 到AlgaN 表面. 隧穿的电子在表面累积，导致 下耗尽区的电子向漏端延伸，从而引起漏极电流的下降. 文中采用 ! 应力测试方法，研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlgaN/ gaN HEMT 的电流崩塌程度. 实验结果表明，钝化 隔断了电子从 隧穿到AlgaN 表面的通道，场板结构能够有效降低 边缘电场，均减少了电子从 隧穿到表面陷 ! ! ! 阱的几率，从而使虚! 的作用减弱，有效地抑制了电流崩塌效应. 关键词：电流崩塌；钝化；场板结构 PACC ：7280E；7360L；7220J 中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：0253-4 177 （2007 ）01-0073-05 改善，主要是由于增加了击穿电压以及减少了 边 ! ［7 ］ 1 引言 缘的峰值电场 ，场板结构对电流崩塌的影响有待 研究. AlGaN/ GaN 异质结构有很大的导带偏移，而且 本文研究了钝化以及场板结构对电流崩塌的改 在异质界面附近产生很强的自发极化和压电极化， 善，通过对未钝化、钝化以及场板这三种不同结构的 感生出很强的界面电荷和电场，积聚起高密度的二 器件施加直流应力，比较它们的电流退化程度，说明 维电子气. 这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中 钝化以及场板结构能够有效地减少!边缘电场，减 的电子转移来产生，这种分离减少了母体对电子的 少了注入到表面态的泄漏电流，从而有效地抑制了 库仑作用，消除了电离散射中心的影响，提高了电子 电流崩塌. 并采用 ATLAS-SILVACO 模拟未钝化以 迁移率. GaN 材料的这些特点决定了AlGaN/ GaN 及场板结构的 极边缘电场分布图，说明了大的 ! ! HEMT 具有优异的微波功率特性，目前AlGaN/ GaN 漏电场导致填充表面态的电子数增加仍然是电流崩 HEMT 的最大输出漏电流达到2. 1A/ mm［1］，器件