多晶硅tft模型的研究进展 research progress in polysilicon tft modeling.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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多晶硅tft模型的研究进展 research progress in polysilicon tft modeling

咿蔗熬展望多晶硅TFT模型的研究进展邓婉玲，郑学仁 (华南理工大学微电子研究所，广州510640) 摘要：全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(T丌)紧凑模型的现状和应用前景，简单说明了多晶硅T丌特有的电学特性，这是多晶硅TFT建模的基础，重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展，并对这些模型进行了评述，其中RPI模型是基于阈值电压的 TFTr模型的典范。虽然TFT模型已经有所发展，但成熟度还远远不够。最后提出了改进多晶硅 TFT模型的方向和策略，包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等。关键词：多晶硅；薄膜晶体管；紧凑模型中图分类号：TN303文献标识码：A 文章编号：1003．353x(2007)06—466．04 Research in TFT ProgressPolysiHconModeling DENG ZHENGXue—ren Wan—ling， (肘强Mk￡ron拯m咖如，岛m醌f加踟矗椰毋矿7备如加嘶，仇嘞Ⅱ510640，劬讹) Abstract：necu玎entstatusaIldfuture of tmsi8tors) developmentp01ysiliconTFT(thin·filmmodeling arede8cribed．Theelectrical of filmsw11icharetlleb鹊ic Inethodsof propertiespoly8ilicon aIlalytical 7rFT a舱 ofthis islaidonsoIne polysiliconmodelingpresented．7rheemph鹊i8 p印er popularcoInpact Tnlmodelsba8edontllreshold andba8edonsurf如e 船weUastheir poly8ilicon Voltage potential， 0f modelis TFT model，RPI pe舶珊ances．A8a帅ethreshold-voltage_based desc曲ed．Altlloughrecently models someresearch for of rnodels standard a代unfo珊ed．Therefbre， a弛developed， strate百esimpmVement modelsaIe oftwo-dimensiondeVicesimulationand polysiliconTI叩coⅡlpact proposed，includingapplica土ion of unifom of modelsand films， su矗ace—potential_based models，modeli