多晶硅太阳电池的一维模拟计算 one-dimensional model calculation for polycrystalline silicon solar cells.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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多晶硅太阳电池的一维模拟计算 one-dimensional model calculation for polycrystalline silicon solar cells.pdf

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多晶硅太阳电池的一维模拟计算 one-dimensional model calculation for polycrystalline silicon solar cells

《半导体光电)2008年10月第29卷第5期张妹玉等：多晶硅太阳电池的一维模拟计算多晶硅太阳电池的一维模拟计算张妹玉，陈朝 (厦门大学物理系。福建厦门361005) 摘要：提出了多晶硅太阳电池的一维物理模型，并对其在AMl．5太阳光照下的电池的短路电流密度．，。、开路电压、，。、填充因子FF和转换效率呀进行了模拟计算，重点分析了多晶硅晶粒尺寸和电池厚度对n+／p结构的多晶硅太阳电池性能的影响。模拟中主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量。模拟结果表明，电池效率在厚度50fzm以内随厚度的增加而增大，当厚度大于50 gm以后趋于饱和；当晶粒尺寸在100“m以内时，电池特性随晶粒尺寸的增加而显著提高，晶粒进一步增大时效率趋于饱和，此时背面复合速率的影响变大。关键词：多晶硅；太阳电池；晶粒尺寸；模拟计算中图分类号：TM914．41 for Solar One-dimensionalModelCalculation SiliconCells Polycrystalline ZHANG Chao Mei—yu，CHEN ’ of 361005，CHN) (DepartmentPhysics，XiamenUniversity，Xiamen A modelfor siliconsolarcells Abstract：one-dimensional physical n+／ppolycrystalline ofthe thicknessand size underAMl．5is itisusedto theeffects cell presented，and study grain onthefourkindsof and ofcarrier J。，v。，FF physicalquantities importantproperties r／．Two effective effectivediffusionareusedforthecalculation．Theresultsshowthat and mobility length whenthecellthickness the increaseswiththe ofcellthicknessand size efficiency increasing grain islessthan50 orthe sizeislessthan the saturation．The