多晶硅制备的一体化电气系统设计及应用.pdfVIP

里兰篁丝塑垫查譬三：翟雪 多晶硅制备的一体化电气系统设计及应用 贺明智1’2，冯玉东2，赵荣华2，孙利娟2 (1．北京交通大学电气工程学院，北京100044；2．北京京仪椿树整流器有限责任公司，北京100040) [摘要]基于改良西门子法多晶硅生产方式，设计了一套集启动装置和还原装置一体化的多晶硅还原炉电气系 统，并实现远程集中控制，采用了基于电流和温度反馈两种控制变量设计控制算法，实现了在不同温 度条件下电气控制系统实时自适应调节。 关键词 多晶硅改良西门子法高压启动闭环控制 0引言 近年来，随着绿色能源的发展，我国多晶硅行业 进入快速发展时期，科技部“十一五”科技支撑计划 设立了“多晶硅材料产业关键技术开发”等项目，大 大推动了我国多晶硅产业的发展。 当前多晶硅产业生产工艺技术主要包括改良两门 子法、硅烷法、流化床法和太阳能级多晶硅新工艺技 术。改良西门子工艺能够兼容电子级和太阳能级多晶 硅的生产，并且技术成熟，适合产业化生产，目前仍 图1多晶硅还原炉电气系统组成 作为多晶硅生产工艺的首选。 通过PLC控制系统实现高压启动装置、维持装置和还 改良西门子法采用氢还原三氯氢硅的方式生产 原装置的切换操作，大大降低了系统的复杂程度。 多晶硅。三氯氢硅还原在超低碳的不锈钢或镍基合 金制成的水冷炉壁还原炉内，用氢将三氯氢硅还原 2电气系统设计 成硅。炉内有不透明的石英钟罩和用细硅芯或钽管 制成的发热体。细硅芯是用超纯硅在特制的硅芯炉 多晶硅还原炉电气系统设计主要基于大功率调压 器及还原炉硅棒相对应调压设备的负载。调压设备的 内制成。在进行化学气相沉积之前，由于硅在常温 时电阻率很高，因此硅芯需经过外加热法加热至 主要原理是对硅棒进行电加热，使其保持在1100℃左 300℃或用几千伏的高压电启动，启动后硅芯电阻从 右进行还原反应，完成硅棒气相沉淀。硅棒直径从8～ 几百千欧降至几十欧。经过提纯的氢气在挥发器将 10mm生长至150ram，电阻从几十欧降至几十毫欧。 三氯氢硅自炉底带入炉内，于l100℃左右进行还原 多晶硅生产方式可以分为9、12、18和24对棒。这里 对12对棒还原炉进行电气系统的设计，还原炉电气系 反应，使硅沉积在发热体上，进行还原增长，形成 统主要包括高压启动和还原两部分。 多晶硅棒。 2．1高压启动装置 1多晶硅还原炉电气系统概述 12对硅芯按照电气排列分为三相，每相对应4对 棒。在设计时以相为单位分别对各对硅芯高压启动， 根据多晶硅生产工艺要求，多晶硅还原炉电气系 多台还原炉可以共用1套高压启动装置。高压启动装 统主要实现硅芯高压启动和还原提纯两种供电方式。 置分为打压电源(硅芯击穿)和维持电源(维持加热)， 综合高压启动过程和还原过程，中间可以加入维持电 打压电源通过调压设备使输入为220V电压升至0～ 源，并辅以相应隔离装置，实现多晶硅电源的一体化 12kV可调电压。每对硅棒在击穿过程中电压从12kV 设计，系统组成如图1所示。 降至450V左右。因电压变化范围较大，为提高电网侧 高压启动装置和中压还原装置之