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2017-08-13 发布于上海
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多孔硅的化学浸蚀制备与表征 fabrication and characterization of porous silicon using chemical etching method.pdf

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多孔硅的化学浸蚀制备与表征 fabrication and characterization of porous silicon using chemical etching method

多孔硅的化学浸蚀制备与表征黎学明1，刘强1，郁卫飞2，黄亨建2 1．重庆大学化学化工学院．重庆40∞30；2．中国工程物理研究院化工材料研究所．四川绵阳6219∞) 摘要：以不同电阻率的p型单晶硅片为研究对象，通过正交实验对化学浸蚀法制备多孔硅的工艺条件进行优化，采用多种仪器对制备的多孔硅比表面积、膜厚、表面形貌，化学组成厦光致发光进行表征。鲒果表明，p型单晶硅片经化学浸蚀后能够形成多孔硅，其膜厚达到3“m；延长浸蚀时同，多孔硅比表面积和膜厚呈先增大后减小的趋势，但化学浸蚀时间太长将导致局部区域的多孔硅层坍塌I室温条件下，多孔硅可光致发光，由于孔洞尺寸分布范围较窄，多孔硅发光半峰宽较窄。关键词：多孔硅，化学浸蚀；纳米结构材料；光致发光 FabricationandChar郝terizati蚰ofPorousSjlicon ChemicalMethod Using Etching LI Wei—fei2，HUANG Xue_min91，LIUQia“91，YU Heng-jian2 0f alld chm妇try (1．叫l蹭e c-lemic蚰EIIgjn钟ri雌，ch佃鹊i“guⅡive幅姆·cho“鹊i哩400030，cHN； 0f 2．I地titⅡteChemIc蚰Mn矧abt of 621900，CHN) Chi雌Ac砌emyEngin钟一唧Physi幅，Mi柚y如g siIiconwasformed Abstract：Porous chemical of siliconwaferswjth by etchingp_typed different fabricationwas andthe resistivities，theprocessoptimizedbyorthogonalexperiment effectoftimeonthe of siliconwasalso studied． method， Propertiesporous Byweighing acceleratedsurfacearea fluorescence system，FT—IR，AFM，and and spectroscopy，thephysical chemical ofthe silicon suchasfiImthickness，surface—to—volumeratio． propertiesporous wafer， surfacechemical surface and were composition，mo。ph。logyphotoluminescencespectrum， characterized．Theresultsshowthat siliconisformedchemical of porous