多量子阱vcsel速率方程的数值模拟分析 numerical simulation analysis of rate equation for multi-quantum well vcsels.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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多量子阱vcsel速率方程的数值模拟分析 numerical simulation analysis of rate equation for multi-quantum well vcsels

《半导体光电》2007年10月第28卷第5期是文先等：多量子阱vcsEL速率方程的数值模拟分析多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析吴文光1，范广涵2，沈为民1，金尚忠1，徐时清1 (1．中国计量学院信息工程学院光电子系，浙江杭州310018； 2．华南师范大学光电子材料与技术研究所。广东广州510631) 摘要：采用光增益与裁流予浓度的对数关系，考虑到非辐射复夸的影响，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCsEL)的速率方程。讨论了闽值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系，为改善VcsEL闲值特性和优化器件结构提供了理论依据。关键词：垂直腔面发射半导体激光器；多量子阱；阈值电流密度 NumericalSimulationofRate for WellVCSELs AnaIysis EquationMuIti—quantum wu wen—g¨an91，FANGuang-han2，sHENweiImin91，JINshang-。hon91，xush}qin91 0f ofInformation opt∞l忧tmⅡi髂，I啉titute (1．D印ar咖ent ErIgin妊ri唧·Chj呻Jili8TIg of Chi蚰No珊aI 2．I地titnteopt仳Iech哪icMateriaIaI-d TechIlolo盯，south Basedonthe relationof oncarrier rate are Abst憎ct： gain equations loga“thmic density，the for weUofvertical surface into described multi—quantum cavity emitting accounttheinfluenceofn。nradiative ratefTherelationofdevice depopulation andthereflectcoefficientof thresholdcurrentand we儿numbersare length mirror)on quantum of of discussed．Itwill theoreticalbasisfor thresh01d provide improvement propertyoptimization deviceconstruction． words：VCSELf we¨}thfesho坩currentdensity Key multi—quantum 1 引言得到圆对称出射光束，光纤耦合效率高、调制速率高、阵列可寻址和与其他器件兼容性好等优点，是垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)是一种中短距离光通信的理想光源，是当前半导体