二探针扩展电阻分布法在ic芯片制造中的应用 application of two-probe spreading resistance technique in the manufacturing process of ic.pdfVIP

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２００９０７１７ 二探针扩展电阻分布法在芯片制造中的应用 ＩＣ 金红杰，郎清华 （杭州士兰集成电路有限公司杭州， ） ３１００１８ 摘要：论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法，该法中两个精确排列的探针，沿 ， ， 。 着被测晶片的磨制斜面边移动边测试得出系列数据二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无 凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻。总结了为提高测试准确性，在测试中需要注意的事项。 较高的空间分辨率和先进的多层算法使二探针扩展电阻分布法能够测试多种结构复杂的样品， 。 因此，在芯片制造过程中，二探针扩展电阻分布法广泛应用于外延、注入和扩散等工艺，为 ＩＣ 工程师调试新工艺优化工艺条件以及进行失效分析等工作提供电阻率深度曲线图和载流子 、 ，  浓度深度曲线图等数据 。 ： ； ； ； 关键词二探针平式针尖无凹痕模型多层理论扩展电阻 ： ： ： （ ） 中图分类号 文献标识码 文章编号 ＴＮ３０４ Ａ １００３３５３Ｘ ２００９ ０７０６８４０５ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ＴｗｏＰｒｏｂｅ Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｉｎ ｔｈｅ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ＩＣ ， Ｊｉｎ Ｈｏｎｇｊｉｅ Ｌａｎｇ Ｑｉｎｇｈｕａ （ ， ， ， ） Ｓｉｌａｎ Ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｃｏ． Ｌｔｄ． Ｈａｎｇｚｈｏｕ ３１００１８ Ｃｈｉｎａ ： Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｔｈｅ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ａｎｄ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｔｗｏｐｒｏｂｅ ｓｐｒｅａｄｉｎｇ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｗｅｒｅ ， ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ． Ｔｗｏ ｔａｃｔｉｃ ｐｒｏｂｅｓ ｍｏｖｅ ａｌｏｎｇ ｔｈｅ ｓｉｄｅ ｏｆ ｔｈｅ ｇｒｉｎｄｉｎｇ ｏｂｌｉｑｕｅ ｐｌａｎｅ ｏｎ ｔｈｅ ｗａｆｅｒ ａｎｄ ｔｈｅ ｍｅａｓｕｒｅｄｄａｔａ ｗａｓ ｒｅｃｏｒｄｅｄ． Ａ ｎｏｎｉｎｄｅｎｔｉｎｇ ｆｌａｔ ｔｉｐ ｍｏｄｅｌ ａｎｄ ａ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｔｈｅｏｒｙ ｗｅｒｅ ｕｓｅｄ ｔｏ ｃａｌｃｕｌａｔｅ ｓｐｒｅａｄｉｎｇ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ． Ａｔｔｅｎｔｉｏｎｓ ｆｏｒ ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ ｔｈｅ ｍｅａｓｕｒｅ ａｃｃｕｒａｃｙ ｗｅｒｅ ｓｕｍｍａｒｉｚｅｄ． Ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ ，