飞兆半导体推出光隔离mosfet栅极驱动器能够驱动工业应用中高达30a1200 v的mosfet.pdfVIP

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  • 2017-08-13 发布于上海
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飞兆半导体推出光隔离mosfet栅极驱动器能够驱动工业应用中高达30a1200 v的mosfet.pdf

飞兆半导体推出光隔离mosfet栅极驱动器能够驱动工业应用中高达30a1200 v的mosfet

飞兆半导体推出光隔离MOSFET栅极驱动器 能够驱动工业应用中高达30A/1 FoD3180/FoD3181与飞兆半导体领先业界的功率产品系列相辅相成, 为没计人员提供由毫瓦至千瓦的完整功率解决方案 飞兆半导体公司(FaiKhild其它技术,对其供应链进行精简化。” J—sTD—020c标准要求,并符合现已 semiconductor)领先业界的功率产FoD3180和FoD3181的其它可靠生效的欧盟标准。 品系列又添新成员,宣布推出高频光 性功能包括:5000v的额定隔离电压 供货:现提供样品和评测板 隔离MosFET栅极驱动器系列的全可以满足大多数安全认证标准;在电 交货期:收到订单后8周内 新产品,能够在工业应用中驱动高达 压达到使能状态时才导通的欠压闭锁 查询更多信息或价格详情,请 30A/1200V的MoSFET。FoD3180功能,从而保护MosFET;以及具有联络飞兆半导体香港办事处,电话: (2A)和FoD3181(o.5A)具有20011s故障防护绝缘的共面结构。这些器件 852—2722—8338;深圳办事处,电话: (最大)的上升/下降时间,能够迅速 还具有较宽的工作电压(最大20v), 开启/关断MosFET以减小开关损耗。而且其PMos上拉晶体管和NMos下 FoD3180具有高达2A的峰值输出电拉晶体管提供17v的信号摆幅(Vcc话:010一8519—2060或访问公司网站: 流,毋须额外的功率放大线路便可直 —vEE)。 Ⅵrww.蠡irchildse“.como 接驱动宽范围的MosFET。在太阳能 FoD3180和FoD3181备有8脚 要了解相关产品的更多信息。请 逆变器、高性能不间断电源(uPs)、DIP封装形式。可满足包括260c回访问网页: Dc/Dc转换器,以及等离子平板显流焊功能的RoHs要求。这些无铅产 品能达到或甚至超越IPc/TEDEc的 示器(PDP)等应用中,这些隔离 Fo/FoD3180.h协ll。 MosFET驱动器是提高系统效 飞兆半导体公司简介 率和可靠性的最佳选择。它们 美国飞兆半导体公司 还丰富了飞兆半导体提供的功 纽 (Fairchildsemiconductor; 率优化产品,为设计人员提供 约证券交易所代号:Fcs)是 从毫瓦至千瓦的全面解决方案。 全球首屈一指的高性能功率产 飞兆半导体光电产品战略 品供货商,产品对于现今计算 市场经理TohnColls七antino称: 机、通信、消费、工业及汽车 “FoD3180和FoD3181光隔 领域领先的电子应用至关重 离MosFET栅极驱动器为飞兆 要。作为功率专家ThePower 半导体领先业界的功率产品系 Frmckse,飞兆半导体提供业 列提供了关键的‘隔离器件’, 界最广泛的组件系列来实现系 将低功耗逻辑产品与高功率分

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