特殊二极体.docVIP

3-1稽納二極體(Zener Diodes) 稽納二極體其圖形符號如圖3-1所示。稽納二極體是一種矽材料pn接面元件，其與整流二極體的差別在於專門選用其逆向崩潰區。稽納二極體崩潰電壓，是在製造時仔細地控制摻雜程度。當二極體達到崩潰時，其電壓幾乎不管電流得急驟變化，而仍維持定值，此種電壓電流特性是於圖3-2。 圖3-1 稽納二極體符號 圖3-2 一般二極體特性曲線 3-1.1稽納崩潰(Zener Breakdown) 稽納二極體有兩種逆向崩潰現象，一種是在第一章內討論過的「累增崩潰」，這種現象也發生在整流二極體加上很高的逆向偏壓時；另一種則是發生在稽納二極體低逆向偏壓時的「稽納崩潰」，稽納崩潰是經大量摻雜降低了崩潰電壓，這種程序使空乏區變窄，其內部空乏區形成強電場，當逆向電壓接近崩潰接近崩潰電壓(Vz)時，電場即增強道將電子拉出價帶形成電流。 稽納二極體的崩潰電壓小於5V，其動作主要由於稽納崩潰產生。若崩潰電壓約大於5V，則此類二極體動作主要由「累增崩潰」產生。此二種均稱為稽納二極體，商品化的稽納二極體崩潰電壓從1.8V到200V之間均有產品。 3-1.2崩潰特性(Breakdown Characterisics) 圖3-3繪示稽納二極體的逆向特性曲線，請注意當逆向電壓(Vz)增大時，逆向電流(Ir)在曲線的「膝點」之前均維持著小極。在