晶体管元件认识及测的量.pptVIP

实验二 晶体管元件的认识和测量 ;2、用数字万用表鉴别晶体三极管 （1）晶体管的管脚和类型的识别： ①先判断基级 ②判别类型 ③集电极和发射极的判断 （2）晶体管性能好坏的检查;Ib（μA）;Q;B、主要参数 电流放大系数： 集电极-基极反向饱和电流 （发射极开路） 集电极-发射极反向饱和电流 （基极开路） 集电极最大允许电流 集电极最大允许功率损耗 反向击穿电压 （集电极开路） （发射极开路） （基极开路）;4、三极管输出特性曲线及其逐点测量法示意图;UC;7、XJ4810型半导体管特性图示仪 ;实验内容 1、用万用表鉴别晶体三极管的性能 （1）先判断晶体管的基极； （2）判断晶体管的集电极； （3）判断晶体管的类型； （4）利用数字万用表测晶体管hfe值。 将实验结果记录于下列表中. ;2、用XJ4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的特性曲线与参数 （1）测稳压管 2CW4正反向伏安特性，在方格纸上记下图示仪所显示的特性曲线，并记录稳定电压VZ。 （2）晶体三极管输出特性测量 ①测出9014共发射极连接的输出特性曲线族，并用方格纸记下曲线分别估算线性区的β值。 ②分别求出当VCE＝3V时，IC＝5mA情况下管子的β值。 （3）晶体三极管输入特性测量 ①测出3AX31和9014两管共发射极连接的输入特性曲线，在方格纸上记下图示仪所显示的特性曲线族。 ②从输入特性曲线上求取IB=20uA时，9014、3AX31的VBE值。 （4）晶体三极管反向击穿电压 V（BR）CEO的测量 测出3AX31和9014两管（取 ICEO=2mA）的V （BR） CEO将击穿曲线记录于方格纸上，并求取V （BR） CEO的值。 （5）晶体管穿透电流的测量 （VCEO=10 V） 测出3AX31的ICEO曲线，用方格纸记录图示仪的ICEO曲线。;9013(NPN)半导体管测试条件 ;3AX81(PNP)半导体管测试条件;注意事项 1、注意晶体管引脚。 2、集电极扫描电压不能加的太高，一般小功率管在几十伏。以免击穿晶体管。 3、基极电流不能太大，一般小功率管在微安级。 4、注意晶体三极管导电类型 实验报告要求 1、整理实验数据，画出被测各类特性曲线（共7条曲线）。 2、从实验结果分析锗、硅管??不同点。 评分标准 整齐度,规范化 5+10分 用数字万用表测判别管脚 ， 10分 稳压管曲线及稳压值， 15分 9013输出特性曲线及β ， 15分 3AX81、9013输入特性曲线及VBEO， 15分 9013 V （BR） CEO ， 5分 3AX81 ICEO， 5分 总结锗管与硅管、普通二极管与稳压二极管的特点。 20分 下次实验预习内容 实验教材（电子技术基础实验-陈大钦主编）P59-P63，单级共射放大电路。