MEMS工艺(2材料)扬卫.ppt

MEMS工艺——材料 梁 庭 3920330(o) Liangting@ 主要内容 材料 硅材料 其他材料 MEMS对材料的要求 1、具有可微机械加工的特性； 2、具有一定的机械性能； 3、具有较好的电性能； 4、具有较好的热性能。 目前能基本满足上述要求的材料有：半导体硅、锗、砷化镓、金属铌，以及石英晶体等，其中，尤以硅材料最为常见。 材料的分类 按性质分： 结构材料、功能材料和智能材料 按具体的应用场合： 微结构材料、微致动材料与微传感材料 MEMS材料 结构材料 基底材料：硅、砷化镓、其他半导体材料 薄膜材料：单晶硅、氮化硅、氧化硅 金属材料：金、铝、其他金属 功能材料 高分子材料：聚酰亚胺、PMMA 敏感材料：压阻、压电、热敏、光敏、其他 致动材料：压电、形状记忆合金、磁性材料等 MEMS 材料 金属－ Al, Au, Cu, W, Ni, TiNi, NiFe, 绝缘体 SiO2 －热生长或蒸汽淀积 SiO2 －晶体（压电） Si3N4 －CVD 聚合体－光刻胶、聚酰亚氨等 半导体硅－单晶硅、多晶硅和非晶硅 为什么硅是比较理想的衬底材料 1、它的力学性能稳定，并且可被集成到相同衬底的电子器件上； 2、硅几乎是一个理想的结构材料，它具有几乎与钢相同的杨氏模量，但却与铝一样轻； 3、硅材料的质量轻，密度为不锈钢的1／3，而弯曲强度却为不锈钢的3.5倍，它具有高的强度密度比和高的刚度密度比。 为什么硅是比较理想的衬底材料 4、它的熔点为1400℃，约为铝的两倍； 5、它的热膨胀系数比钢小倍，比铝小10倍； 6、单晶硅具有优良的机械、物理性质，其机械品质因数可高达106数量级，滞后和蠕变极小，几乎为零，机械稳定性好，是理想的传感器和执行器的材料； 硅衬底在设计和制造中具有更大的灵活性。 一、硅材料 单晶硅的生长 单晶硅的性质 晶面与晶向 Silicon wafer fabrication Silicon wafer fabrication – slicing polishing 晶面与晶向 硅晶体属于金刚石型晶体结构，其晶胞都具有立方体的形式，在立方体的每个角上都具有一个原子。我们把这个立方体的边长定为晶格常数，用a表示，在室温标准大气压下硅的a=5.43A 。 晶面 由于单晶体是原子周期性规则排列所组成，因此在单晶体中可以划分出一系列彼此平行的平面，这些面被称为晶面。这些彼此平行的晶面组成了晶面族，晶面族有以下性质： (1)每一晶面上结点排列的情况完全相同； (2)相邻的晶面之间距离相等； (3)一族晶面可以把所有的结点都包括进去 。 晶面指数 为了识别晶体内的一个平面，习惯上用晶面指数来标记 。 Si crystal orientation 晶向 晶体中所取的方向不同，其物理化学性质也不同．这就形成了晶体的各向异性。晶向可以用垂直于该晶面的法线方向来表示 由于硅属于立方晶体结构，在不同晶面上原子的排列密度不同，导致硅晶体的各向异性，因此杂质的扩散速度、腐蚀速度也各不相同。 硅单晶在晶面上的原子密度是以(111)(110)(100)的次序递减，因此扩散速度是以(111)(110)(100)方向递增。 腐蚀速度也是以(111)(110)(100)的顺序而增加 。 1.2 多晶硅 单晶是指整个晶体内原子都是周期性的规则排列，而多晶是指在晶体内各个局部区域里原子是周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同。因此多晶体也看作是由许多取向不同的小单晶体组成的 。 硅晶体的传感特性 硅材料的优点 1、优异的机械特性； 2、便于批量生产微机械结构和微机电元件； 3、与微电子集成电路工艺兼容； 4、微机械和微电子显露便于集成。 2 硅化合物 二氧化硅（SiO2）、碳化硅（SiC）和氮化硅（Si3N4）是微系统中常用的三种硅化合物。 二氧化硅 二氧化硅在微系统中有三个主要应用： （1）作为热和电的绝缘体 （2）作为硅衬底刻蚀的掩膜 （3）作为表面微加工的牺牲层 碳化硅 碳化硅（SiC）在微系统中的基本应用是利用其在高温下尺寸和化学性质的稳定性。甚至在极高的温度下，碳化硅对氧化也有很强的抵抗力。 MEMS器件经常沉积一层碳化硅薄膜以防止它们被高温破坏。在MEMS中使用SiC的另一原因是采用铝掩膜的干法刻蚀（可以很容易实现SiC薄膜的图形化。 氮化硅 氮化硅（Si3N4）具有许多吸引MEMS和微系统的突出特性。它可以有效地阻挡水和离子，如钠离子，的扩散。氮化硅超强抗氧化和抗腐蚀的能力使其适于作深层刻蚀的掩膜。氮化硅可用作光波导以及防止水和其它有毒流体进入衬底的密封材料。它也被用作高强度电子绝缘层和离子植入掩膜 3 砷化镓 砷化镓（GaAs）是一种半导体化合物。它是