下变频混频器 2.pptVIP

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2017-08-09 发布于湖北
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下变频混频器 2.ppt

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下变频混频器 2

东?南?大?学射?频?与?光?电?集?成?电?路?研?究?所 * 深亚微米器件建模与IP核研究项目报告人：刘东海项目负责人：李智群教授东南大学射频与光电集成电路研究所 1 CMOS下变频混频器分析与设计窄带下变频混频器主要指标要求设计指标指标要求所用工艺 CSMC 0.18um RF CMOS 电源电压 1.8V 工作频率 2.4~2.4835GHz 输入1dB压缩点 -13dBm 转换增益 5dB 隔离度 -30dB 噪声系数 13dB 工作电流 1mA 项目进度 1、已经完成下变频混频器方案设计 2、已经初步完成混频器电路设计与仿真 3、正在进行电路的优化，以满足指标要求图1-1 吉尔伯特混频器电路图混频器主要电路模块采用双平衡吉尔伯特单元,各端口间隔离度好。采用了电流复用，以提高电压转换增益和降低噪声系数。采用源极负反馈技术，以提高线性度。吉尔伯特混频器仿真 Mixer仿真示意图仿真条件：电源电压1.8V，源阻抗50Ω，负载阻抗5KΩ。电路仿真工具：Candence Spectre 仿真结果——电压转换增益仿真 pss+pxf仿真仿真条件：1.8V，TT，27℃，源阻抗50Ω，负载阻抗5KΩ。 fIF@2MHz, fLO@2.348GHz, fRF@2.35GHz fIF@2MHz, fLO@2.398GHz, fRF@2.4GHz 电压转换增益为12.15dB(fLO@2.348GHz, fRF@2.35GHz); 电压转换增益为12.01dB(fLO@2.398GHz, fRF@2.4GHz); 仿真结果——电压转换增益仿真仿真条件：1.8V，TT，27℃，源阻抗50Ω，负载阻抗5KΩ。 fIF@2MHz, fLO@2.448GHz, fRF@2.45GHz fIF@2MHz, fLO@2.498GHz, fRF@2.5GHz 电压转换增益为11.87dB(fLO@2.448GHz, fRF@2.45GHz); 电压转换增益为11.73dB(fLO@2.498GHz, fRF@2.5GHz); 仿真结果——噪声系数 pnoise仿真仿真条件：1.8V，TT，源阻抗50Ω/200Ω，负载阻抗5KΩ。 fIF@2MHz, fLO@2.348GHz, fRF@2.35GHz 噪声系数为14.82dB(@50Ω); 噪声系数为10.89dB(@200Ω) 仿真结果——噪声系数 fIF@2MHz, fLO@2.398GHz, fRF@2.4GHz 噪声系数为14.94dB(@50Ω); 噪声系数为11.01dB(@200Ω) 仿真结果——噪声系数 fIF@2MHz, fLO@2.448GHz, fRF@2.45GHz 噪声系数为15.05dB(@50Ω); 噪声系数为11.13dB(@200Ω) 仿真结果——噪声系数 fIF@2MHz, fLO@2.498GHz, fRF@2.5GHz 噪声系数为15.37dB(@50Ω); 噪声系数为11.25dB(@200Ω) PSS仿真。仿真条件：1.8V，TT，27℃，源阻抗50Ω，负载阻抗5KΩ。 fIF@2MHz, fLO@2.348GHz, fRF@2.35GHz fIF@2MHz, fLO@2.398GHz, fRF@2.4GHz 仿真结果——输入1dB压缩点 1dB压缩点为-11.93dBm( fIF@2MHz, fLO@2.348GHz, fRF@2.35GHz); 1dB压缩点为-11.88dBm(fIF@2MHz, fLO@2.398GHz, fRF@2.4GHz) fIF@2MHz, fLO@2.448GHz, fRF@2.45GHz fIF@2MHz, fLO@2.498GHz, fRF@2.5GHz 仿真结果——输入1dB压缩点 1dB压缩点为-11.83dBm( fIF@2MHz, fLO@2.448GHz, fRF@2.45GHz); 1dB压缩点为-11.77dBm( fIF@2MHz, fLO@2.498GHz, fRF@2.5GHz) 仿真结果——发射通道本振抑制（LO-IF）仿真条件： fLO@2.398GHz, 0dBm，fIF@2M