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单片机6-2 程序存储器与数据存储器扩展
第6章 单片机系统的并行扩展之第二讲
程序存储器和数据存储器的扩展;常用EPROM芯片介绍
典型芯片是27系列产品,例如,
2764 (8KB×8)
27128(16KB×8)
27256(32KB×8)
27512(64KB×8)
“27”后面的数字表示其位存储容量。
扩展程序存储器时,应尽量用大容量的芯片。 ;1、常用的EPROM芯片
引脚功能如下:
A0~A15:地址线引脚。数目决定存储容量。
D7~D0:数据线引脚
CE*: 片选输入端
OE* : 输出允许控制端
PGM*: 编程时,加编程脉冲的输入端
Vpp: 编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端
Vcc: +5V,芯片的工作电压。
GND: 数字地。
NC: 无用端 ;2. EPROM芯片的工作方式
(1)读出方式
片选控制线为低, 输出允许为低,Vcc为+5V,指定
地址单元的内容从D7~D0上读出。
(2)禁止输出方式
输出呈高阻状态,不写入程序
(3)未选中方式
片选控制线为高电平。
(4)编程方式
Vpp端加规定高压, CE*和OE*端加合适电平,就能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。
(5)编程校验方式
(6)编程禁止方式
输出呈高阻状态,不写入程序。;3、典型的EPROM接口电路
使用单片EPROM的扩展电路
2716、2732 EPROM价格贵,容量小,且难以买到。
仅介绍2764、27128、27256、27512芯片的接口电路。
下图为外扩32K字节的EPROM 27256的接口电路图 。;MCS-51外扩单片32K字节的EPROM 27256的接口。;使用多片EPROM的扩展电路
扩展4片27128。 ; 1、常用的静态RAM(SRAM)芯片
典型型号有:6116、6264、62128、62256。+5V电源供电,双列直
插,6116为24引脚封装,6264、62128、62256为28引脚封装。
各引脚功能如下:
A0~A14:地址输入线。
D0~D7:双向三态数据线。
CE*: 片选信号输入。对于6264芯片,当CS为高电平,且CE*
为低电平时才选中该片。
OE*: 读选通信号输入线。
WE*: 写允许信号输入线,低电平有效。
Vcc: 工作电源+5V
GND: 地
有读出、写入、维持三种工作方式。 ;昨足枕仟谎鳃仲拨梦胜窃问撇濒况档葱缕扇室脆温胰遵袒尤详绞墩锋厢湍单片机6-2 程序存储器和数据存储器的扩展单片机6-2 程序存储器和数据存储器的扩展;2. 典型的外扩数据存储器的接口电路
用线选法扩展8031外部数据存储器的电路。 ;地址线为A0~A12,故剩余地址线为三根。用线选法可扩展3片6264。3片6264对应的地址空间如下。;译码法;
各片62128地址分配
P2.7 P2.6 译码输出 选中芯片 地址范围 存储容量
0 0 YO* IC1 0000H-3FFFH 16K
0 1 Y1* IC2 4000H-7FFFH 16K
1 0 Y2* IC3 8000H-BFFFH 16K
1 1 Y3* IC4 C000H-FFFFH 16K
;3、EPROM和RAM的综合扩展
(1)综合扩展的硬件接口电路
例: 采用线选法扩展2片8KB的RAM和2片8KB的EPROM, RAM选6264,EPROM选2764。;IC2和IC4占用地址空间为2000H~3FFFH共8KB。同理IC1、IC3地址范围4000H~5FFFH(P2.6=1、P2.5=0、P2.7=0)。
例:采用译码器法扩展2片8KB EPROM,2片8KB RAM。EPROM选用2764,RAM选用6264。共扩展4片芯片。 ;(2)外扩存储器电路的工作原理及软件设计
1) 单片机片外程序区读指令过程
2)单片机片外数据区读写数据过程
例如,把片外1000H单元的数送到片内RAM 50H单元,程序如下:
MOV DPTR,#1000H
MOVX A,@DPTR
MOV 50H,A
例如,把片内50H单元的数据送到片外1000H单元中,程序如下:
MOV A,50H
MOV DPTR,#1000H
MOVX @DPTR,A;例:将程序存储器中以TAB为首址的32个单元的内容依次传送到外部
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