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第 九 章 第 九 章 第第 九九 章章 半导体异质结的组成与生长 半导体异质结的组成与生长 半半导导体体异异质质结结的的组组成成与与生生长长 第九章 Part 1 第九章 Part 1 第第九九章章 PPaarrtt 11 第九章 Part 1 第九章 Part 1 第第九九章章 PPaarrtt 11 9.1 半导体异质结的分类 9.1 半导体异质结的分类 99..11 半半导导体体异异质质结结的的分分类类 9.2 半导体异质结的能带结构 9.2 半导体异质结的能带结构 99..22 半半导导体体异异质质结结的的能能带带结结构构 9.3 PN 异质 结的注入特性 9.3 PN 异质 结的注入特性 99..33 PPNN 异异质质 结结的的注注入入特特性性 9.4 理想突变异质结的伏安特性 9.4 理想突变异质结的伏安特性 99..44 理理想想突突变变异异质质结结的的伏伏安安特特性性 9.1 半导体异质结的分类 9.1 半导体异质结的分类 99..11 半半导导体体异异质质结结的的分分类类 由两种不同的半导体单晶材料形成的 结称为异质结。 由两种不同的半导体单晶材料形成的 结称为异质结。 PN 由由两两种种不不同同的的半半导导体体单单晶晶材材料料形形成成的的 结结称称为为异异质质结结。。 年由 首先提出了异质结的概念； 1951年由Gubanov首先提出了异质结的概念； 年年由由 首首先先提提出出了了异异质质结结的的概概念念；； 年克罗默个到了 导电类型相反的两种不同的半导体 年克罗默个到了 导电类型相反的两种不同的半导体 1957年年克克罗罗默默个个到到了了“导导电电类类型型相相反反的的两两种种不不同同的的半半导导体体 单晶材料制成的异质结，比同质结具有更高的注入效率。 这 单晶材料制成的异质结，比同质结具有更高的注入效率。 这 ” 单单晶晶材材料料制制成成的的异异质质结结，，比比同同质质结结具具有有更更高高的的注注入入效效率率。。 这这 一重要结论。 一重要结论。 一一重重要要结结论论。。 年 公司利用汽相外延生长技术成功地实现了异质 年 公司利用汽相外延生长技术成功地实现了异质 1960 IBM 年年 公公司司利利用用汽汽相相外外延延生生长长技技术术成成功功地地实实现现了了异异质质 结构。 结构。 结结构构。。 年人类制备出了第一支异质结激光二极管。 1969年人类制备出了第一支异质结激光二极管。 年年人人类类制制备备出出了了第第一一支支异异质质结结激激光光二二极极管管。。 异质结的分类 异质结的分类