高电源抑制比低温漂带隙基准源设计 a high psrr and low temperature coefficient bandgap reference.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高电源抑制比低温漂带隙基准源设计 a high psrr and low temperature coefficient bandgap reference.pdf

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高电源抑制比低温漂带隙基准源设计 a high psrr and low temperature coefficient bandgap reference

高电源抑制比低温漂带隙基准源设计朱龙飞，莫太山，叶甜春 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源。重点研究了带隙基准源电源抑制能力，尤其是高频PSRR，达到宽频带范围PSRR高性能指标。采用0．35IxmBiCMOS工艺进行仿真，结果表明，PSRR在lHz频率下达一108．5 dB，在15MHz频率下达一58．9dB；采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1．183V，在一40℃～95℃温度范围内，温漂系数低达1．5 ppm／oC。关键词：带隙基准；电源抑制比；二次温漂补偿中图分类号：TN433 文献标识码：A 文章编号：0258—7998f2013)05—0035—03 A PSRRandlow coefficientreference high temperature bandgap Zhu Tianchun Longfei，MoTaishan，Ye of of (InstituteMicroelectronics，Chinese 100029，China) AcademySciences，Beijing newBGRcircuitwith PSRRandlowTCis Abstract：A PSRR ofBGRisdiscussedin high proposed．The detail， performance at overa PSRR wide isachieved．Thecircuitisfabricatedin 0．35 especiallyhighfrequency．Then．ahigh frequencyrange la,m BiCMOS results showthatthePSRRis一108．5dBat1 Hz．and-58．9dBat15MHz．Asecondordercurvature process．Simulation circuitis coefficientisaslowas1．5 overa oCto95oC． compensateddesigned．Thetemperature ppm／。C temperaturerange一40 ordercurvature reference；PSRR；second Keywords：bandgap compensated 带隙基准源是模拟集成电路及数模混合集成电路具有代表性的包括指数补偿法【11、线性补偿法【2】、不同材的重要组成部分。随着SoC工作频率的不断提高，芯片内部的一些高速数字电路及噪声敏感模拟(或射频)电路对电流产生电路，对温漂进行二次补偿，电路结构简单，能参考电压的高频抑制能力的要求越来越高。设计一款宽够实现宽温度变化范围BGR更小的温漂系数。