一种低温度系数的带隙基准电压源设计.PDFVIP

第26卷 第2期 计 算机 技 术 与发 展 Vol.26 No.2 2016年2月 COMPUTERTECHNOLOGY AND DEVELOPMENT Feb. 2016 一种低温度系数的带隙基准电压源设计 张 瑛,王 剑,周洪敏 (南京邮电大学 电子科学与工程学院,江苏 南京 210046) 摘 要:基准电压源是集成电路系统中的重要组成部分,其性能直接影响系统的稳定性和鲁棒性。 温度系数是基准电压 源的重要性能指标之一,而高阶温度补偿技术是降低基准源温度系数的有效方法。 基于标准0.18 μm CMOS工艺,设计了 一种低温度系数的带隙基准电压源,采用电流模结构的带隙基准电路实现了低电源电压工作,并通过VBE线性化补偿技 术实现了在低压下的高阶温度补偿。 所设计的CMOS 带隙基准电压源在-40 ~ 125 ℃的范围内,温度系数为6.855 ppm/ ℃,低频时电源电压抑制比达到了-95 dB,而电源电压在0.6 ~1.8 V范围内变化时线性调整率仅为0.2%。 仿真实 验结果表明,该电路结构能够有效提升带隙基准电压源的温度性能。 关键词:带隙基准;温度系数;电流模;电源电压抑制比 中图分类号:TN47 文献标识码:A 文章编号:1673-629X(2016)02-0150-04 doi:10.3969/j.issn.1673-629X.2016.02.034 Design of a Bandgap Voltage Reference with a Low Temperature Coefficient ZHANG Ying,WANG Jian,ZHOU Hong-min (College of Electronics Science Engineering,Nanjing University of Posts Telecommunications,Nanjing210046,China) Abstract:The reference voltage sourceisan importantpart oftheintegrated circuit system,andithasa direct impact on the stability and robustness of the system.The temperature coefficient isone oftheimportantperformancesofthereferencevoltage source,andthehigh- order temperature compensation technology isan effective way toreducethetemperature coefficient.Abandgap voltagereference with a low temperature coefficient isdesigned based on standard0.18μm Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) process.The current mode structure isusedtomakethecircuitworkingunderthelowpower supplyvoltage,andthelinearcompensationtechnologyis appliedto completethehigh order temperaturecompensation.The designedvoltagereferencegiv