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高密度互连技术及hdi板用材料的研究进展 advances of high density interconnect and its materials

趋势与展望 0I吐look阻dFI血邸 高密度互连技术及HDI板用材料的研究进展 刘德林,成立,韩庆福,李俊,徐志春,张慧 (江苏大学电气与信息工程学院,江苏镇江212013) 摘要:为了适应电子产品向更轻、更小、更薄、可靠性更高的方向发展,电子封装对高密度 能。综述了先进的HDI技术及其应用概要,分析了HDI制造工艺中的几种成孔方法,其中包括 HDI线路通导的方式和纳米精细线路的制作工艺,阐述了HDI板用积层材料的发展方向以及两种 技术满足了电子封装技术不断提高封装密度的需要,将成为下一代PCB的主流技术。 关键词:高密度互连;通孔;激光成孔;纳米精细线路;液晶聚合物;AS.1lG树脂 中图分类号:TN405.97文献标识码:A of Interco衄ectandItsMaterials AdV锄ces I珏ghDe璐ity ⅡU Hui De一1in,CHENGLi,HAN Jun,XUZhi-chun,ZHANG Qin争f.u,LI (加砌腑o,矾劝舐妙口以锄白r7舭砌乃,.,缸ngsu‰毋,z^删切曙212013,蕊讥口) tlle ofelect姗icde、,icestobe more A妇ct:For reliable, devel叩Ⅱ抡m li出ter,smaller,tlli衄er粕d set to 码e usedtoreducethe tlleelect埘lie ahigherreqllestHDItechn010移。HDItechnolo韶is packa乎ngs sizeandtlle eIlllancetheelectricalcharacteristicsinULSI.AdVancedHDI aIldtheir wei曲t, technologie8 of aTe methodsnlicroviaforHDI arealso summ撕zed,and aplplic砒ions fomling manufacturingprocess line methodsaIldnanometerfineline 0fHDIarediscus8ed. 明alyzed.r11lenpassing lIlanu‰tuIingtechn010舀es 0fHDIPCB andAS-11G Inaterials, resin,are DevelopmentpIospects includingliqllidc巧得talp01ynler elaborated.neHDI Hl

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