高阻衬底上具有n+浮空层的横向super junction mosfets new lateral super junction mosfets with n+-floating layer on high-resistance substrate.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高阻衬底上具有n+浮空层的横向super junction mosfets new lateral super junction mosfets with n+-floating layer on high-resistance substrate.pdf

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高阻衬底上具有n浮空层的横向superjunctionmosfetsnewlateralsuperjunctionmosfetswithn-floatinglayeronhigh-resistancesubstrate

第28卷第2期半导体学报 V01．28No．2 CHINESE OF Feb．，2007 2007年2月 JOURNALSEMICONDUCTORS NewLateral MOSFETswith Junction Super n+一FloatingLayer on Substrate” High—Resistance Duan B0，andLi Baoxing+，ZhangZhaoji (ic Electronic 610054，China) of of DesignCenter，UniversityScienceTechnologyChina，Chengdu new LDMOSTstructurethat thesubstrate—assistedeffectisde- Abstract：A superjunction suppresses depletion withan embeddedinthe substrate orarse- signed n+·floatinglayer high·resistancep-type byimplantingphosphor nic．Thiseffectresultsfroma imbalancebetweenthe and whenthe are charge n·type P·typepillars n-typepillars substrate．Theelectricfieldaroundthedrainisreducedthe duetothe depletedbyp-type high by n+一floatinglayer REBULFeffect，whichcausestheredistributionofthebulkelectricfieldinthedrift thusthesubstrate region，and uew balancein morebiases．Thestructurefeaturesbreakdown on—resistance，and supports high voltage，low charge thedrift region． Keywords：superjunction；LDMOST；substrate—assisted voltage depletion；n+-floatinglayer；breakdown EEACC：2560R；2560P CLCnunlher：TN386Documentcode：A ArticleID：0253-41