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MV_RR_CNJ_0034 四圆单晶X 射线衍射仪检定规程 1. 四圆单晶X 射线衍射仪检定规程的说明 编号 JJG(教委)008-1996 名称 (中文) 四圆单晶X 射线衍射仪检定规程 (英文) Verification regulation for four-circle single crystal X-ray diffrac tometer 归口单位 国家教育委员会 起草单位 国家教育委员会 主要起草人 姚心侃 杨清传 批准日期 1997 年 1 月 22 日 实施日期 1997 年 4 月 1 日 替代规程号 无 适用范围 本规程适用于使用中和修理后的四圆单晶 X 射线衍射仪(以下简称 四圆仪)的检定。 主要技术要求 1.外观 2.安装条件 3.检定条件 4.检定设备 5.样品 6.检定项目和检定方法 是否分级 无 检定周期(年) 2 附录数目 2 出版单位 科学技术文献出版社 检定用标准物质 相关技术文件 备注 2. 四圆单晶X 射线衍射仪检定规程的摘要 2 范围 本规程适用于使用中和修理后的四圆单晶X射线衍射仪(以下简称四圆仪)的检定。 2.1 原理 四圆仪是用封闭式X射线管光源发出X射线，而用探测器(目前通常用闪烁计数器)逐点探测 和记录X射线在单晶体(合适的大小在0.1mm～0.8mm之间)上所产生的衍射的位置和强度的大 型精密分析仪器。按式(1)所示，该仪器所测得的基本实验数据(衍射线的位置和强度)是求得晶 体中电子密度分布ρ(xyz)的基础。 +∞ +∞ +∞ 1 ρ(xyz) ＝－ ∑ ∑ ∑ { 〔│F │exp(i α ) 〕·exp 〔－2 πi(hx ＋ky ＋lz) 〕 (1) hkl hkl Vc h =－ ∞ k =－ ∞ l =－ ∞ 式中 ρ(xyz)——晶胞内某指定点xyz 处的电子密度 V ——晶胞体积 c |Fhkl |——衍射指标为hkl 的某衍射线的结构振幅，它正比于该衍射线的衍射强度 α ——衍射指标为hkl 的某衍射线的位相，它将由其它解析方法确定。 hkl 2.2 构成 四圆仪结构示意图如图1所示。 X线发生器 四圆测角仪 探测器 接 口 计算机