2半导体中杂质与缺陷.pptVIP

第二章半导体中杂质和缺陷能级;杂质和缺陷出现在半导体中时， 产生的附加势场使严格的周期 性势场遭到破坏。 杂质能级位于禁带之中 ;间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子的间隙位置 间隙式杂质原子一般比较小 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子位于晶格点处 替位式杂质原子的大小与被取代的晶格原子的 大小比较相近,价电子壳层结构相近。 硅、锗为Ⅳ族元素，与Ⅲ、Ⅴ族元素情况类似，故Ⅲ、Ⅴ族元素在硅、锗中为替位式杂质 杂质浓度：单位体积中的杂质原子数 施主杂质：能够施放电子而产生导电电子并形成 正 电中心 受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴并形成 负 电中心;2、施主能级：举例：Si中掺磷P（Si：P） ;电离的结果：导带中的电子数增加了，这即是掺施主 的意义所在;杂质电离：电子脱离杂质原子的束缚成为 导电电子的过程 杂质电离能：价电子挣脱束缚成为导电电 子所需的能量 施主杂质未电离时是中性的，电离后成为正电中心，施主杂质电离后导带电子增多，这种主要依靠电子导电的半导体称为N型半导体。施主杂质又称为N型杂质 一般情况下施主能级是孤立能级 施主能级位于离导带底很近的禁带中;3、受主能级：Si中掺硼B（Si：B）;受主能级 EA;Eg;受主杂质未电离时是中性的，电离后成为负电中心，受主杂质电离后价带空穴增多，这种主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。受主杂质又称为P型杂质 受主能级位于离价带顶很近的禁带中 一般情况下，受主能级也是孤立能级 ;杂 质 半 导 体;4、浅能级杂质电离能的简单计算;估算结果与实际测量值有相同数量级;5、杂质的补偿作用;（B）NAND时 p型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首 先填充EA上的空位， 即施主与受主先相互 “抵消”，剩余的束缚 空穴再电离到价带上。 半导体是 p 型的 ;（C） NA≌ND时 杂质的高度补偿;6、深能级杂质;例1：Au（Ⅰ族）在Ge中;（1）Au+： Au0 – e Au+;（3） Au一： Au0 + e Au一;（4） Au二：Au一 + e Au二;（5） Au三： Au二 + e Au三;例2：Au（Ⅰ族）在Si中;7、等电子陷阱;（2）等电子陷阱;1、N在GaP中：NP 2、C在Si中：CSi 3、O在ZnTe中： 其存在形式可以是 （1）替位式 （2）复合体，如 Zn-O 8、束缚激子;9、两性杂质;§2.2 缺 陷 能 级;（1）Si中的点缺陷： 以空位、间隙和复合体为主