原料对碳化硅单晶生长的影响-无机材料学报.PDF

第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 、乞 , 年 月 二 窗 文章编号 一 一 一 原料对碳化硅单 晶生长 的影 响 陈之 战, 施 尔畏 , 肖 兵 , 庄 击 勇 中 国科 学 院上 海硅 酸 盐研 究 所 , 上 海 摘 要 研 究 了具有立方结构 的碳化硅 , 一 粉料在单 晶生长过程 中的物相变化及对生 长 晶体均匀性 、 缺 陷等 的影 响 实验发现 , 在 晶体生长过程 中原料 的晶型转变和 、 挥发不 一 造成 晶 沿生长 在一个 尔 比的最 的 孔 缺 的形 原 致 体 方 向存 摩 大值 晶体 中 针 等 陷 成与 料 中的杂质和气相 组分偏 离 二 摩 尔 比有关 , 并通过 电子探针得到 证实 关 键 词 碳化硅原料 碳化硅单 晶 相转变 , 摩尔 比 , 针孔 中图分类号 文献标识码 引言 生长 单 晶所 需原料纯 度应大于 原料来源 有三种 常用 的原 料为 生 的 , 因含 , 用 需要 纯 处 由于 生 工 艺 限 , 法 产 磨料 有较 多杂质 使 前 进行提 理 受 产 的 制 提纯 后 原料 的纯 度仍然达 不到 生长 晶体 的要 求 高纯 原料通过 法 或烧 结半导体 级纯 的 和 获得 , 前者得 到 的原料纯 度更 高一 些 等详细报道 了后 者 的合成 方法 等研 究 了原料从立方 尽 到 六方 一 的相转 变 原 理过 程 、