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半导体二极管及其应用 一、选择题： 1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于 答案：C 2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______ a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度 答案：B 3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案：C 4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______ a 高 b 低 c不变 答案：B 5.N 型半导体______ a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案：C 6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ a 增大 b 减小 c 不变 答案：C 7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将______ a 不变 b 变宽小于 c 变窄 答案：C 8.当环境温度升高时，二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变 答案：b 9.当环境温度升高时，二极管的死区电压将______ a 升高 b 降低 c 不变 答案：b 10.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将______ a 增大 b 减小 c 不变 答案：a 11.二极管的正向电压降一般具有______温度系数 a 正 b 负 c 零 答案：b 12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是______和______ a UD,IF b IF,IS c IF,UR 答案：c 13.理想二极管的主要性能指标为 ______ a UD=0,IR=0, b UD =0.3V ，IR=0 c UD =0.5V ，IR =IS 答案：a 13.稳压管通常工作于______，来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区 答案：c 12.对于稳定电压为 10V 的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 ______ a 升高 b 降低 c 不变 答案：c 13.二极管的反偏电压升高，其结电容 ______ a 增大 b 减小 c 不变 答案：b 17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 ______ a 势垒电容 b 扩散电容 c无法判断 答案：b 18.锗二极管的死区电压约为 ______ 答案：a a 0.1V b 0.2V c 0.3V 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 ______ a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案：c 20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 ______ a 大 b 小 c 不变 答案：b 22.已知二极管的静态工作点 UD 和ID ，则二极管的静态电阻为 ______ a UD/ID b UT /ID c UD/IS 答案：a 24. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若 UD增大到 0.66V ，则电流ID约 为 ______ a 11mA b 20mA c 100mA 答案：c 26. 在上题图示电路中，若 E=8V ，当温度为 10℃ 时测得二极管的管压降为UD =0.7V, 当温度上升到 40℃ 时，则UD大小为 ______ a =0.7V b 0.7V c 0.7V 答案： 27.在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 答案：A ，C 28.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 答案：A 29.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）答案：√ 30.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 答案：× 31.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 答案：√ 32.PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 答案：A 33.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. 答案：C 34.稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案：C 图P1.11 35.电路如图P1.11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 解：