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主要参考书目 半导体器件物理 1. 孟庆巨刘海波 孟庆辉编著.半导体器件物理(第 二版)，科学出版社 2. 施敏.现代半导体器件物理，科学出版社 深圳大学光电工程学院 3. 刘恩科《半导体物理学》（第七版），电子工 业出版社 sbpengds@szu.edu.cn 4. 王庆有《光电技术》（第二版）北京：电子工 业出版社 5. 安毓英，刘继芳，李庆辉光电子技术（第二 版）北京：电子工业出版社 半导体技术发展的里程碑 课程简介 1833年发现硫化银的电阻率温度系数为负 半导体器件物理课程结合一些主要的、常见的 1839年，法国贝克莱尔，发现光生伏特效应 半导体器件介绍了半导体器件的基本结构、基 1873年，英国史密斯，发现光电导效应 本工作原理、基本性能和基本制造工艺。 1874年，德国布劳恩，发现整流效应 半导体器件物理课程是微电子、光电子、电子 1879年，美国霍尔，发现霍尔效应 科学与技术等专业的主干专业基础课。 1947年晶体管的出现 1959年集成电路问世 1960年发明了增强型MOSFET 1962年砷化镓激光器问世 1969年提出超晶格理论 1991年GaN 蓝光LED 的出现 什么是半导体？ ●电阻率 从导电性（电阻）： 导体： ρ＜10-3 Ωcm 例如：ρ ~10-6 Ωcm Cu 固体材料可分成：超导体、导体、 半导体：10-2 9 Ωcm＜ρ＜10 Ωcm 半导体、绝缘体 ρ =0.2 Ωcm Ge 电阻率ρ介于导体和绝缘体之间，并且具 绝缘体：ρ＞109 Ωcm 有负的电阻温度系数→半导体 1 ●电阻温度系数 绝